Lezione 10Cache a due vie, politiche di scrittura e memoria a semiconduttore

Data: 24 ottobre 2016 · Durata: 1:42:13
Fonte: Videolezione: Architettura degli Elaboratori, UniPD, a.a. 2016-17 (canale ufficiale Math UniPD)

Argomenti trattati

• 0:20 — Soluzione: cache a due vie con rimpiazzo FIFO
• 12:00 — Esercizio di livello d'esame: letture e scritture con write-through e write-allocate; campo parola e dimensionamento (17:00); write-allocate (23:03)
• 1:01:06 — Memoria principale a semiconduttore
• 1:03:03 — RAM e ROM; DRAM e refresh (1:12:01); SRAM (1:22:00)

Teoria

• Memoria cacheBlocchi, linee ed etichette; scomposizione dell'indirizzo; associazione diretta, completamente associativa e associativa a insiemi con calcolo dei campi; politiche di rimpiazzo (LRU, FIFO, casuale); politiche di scrittura (write-through, write-back con bit sporco, write-allocate); dimensione del blocco; cache multilivello e separate; come ridurre i miss; quesiti sui campi dell'indirizzo.Memoria cache → — paragrafi "Rimpiazzo" e "Scrittura"
• Memoria principale a semiconduttoreCella di memoria e operazioni; RAM dinamica (condensatore, refresh) e statica (flip-flop), confronto; ROM, PROM, EPROM, EEPROM e flash; organizzazione dei chip e dei moduli con calcolo di linee di indirizzo e numero di chip; DRAM sincrona e DDR; errori e codici di correzione.Memoria principale a semiconduttore →

Esercizi

• Esercizio 11 · cache a due vie con rimpiazzo FIFO

Indicazioni del docente

• L'esercizio con letture e scritture (12:00) è presentato come il tipo di esercizio delle prove; il contenuto della memoria è solo sulla slide, per questo qui non è riportato.
• Negli esercizi sulla cache va dichiarata la convenzione per le linee libere (per esempio la linea di indice minore).