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Note per Studenti Raddrizzatori e circuiti a diodi con carico

Raddrizzatori e circuiti a diodi con carico

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Un raddrizzatore trasforma una tensione alternata in una tensione che ha una componente continua: si sfrutta il fatto che il diodo conduce in un solo verso (Il diodo a giunzione - equazione, modelli e piccolo segnaleIl diodo ha caratteristica esponenziale I = I_S(e^{V/V_T} − 1): conduce solo in polarizzazione diretta con tensione quasi costante (0,6–0,7 V). Nei circuiti si usano modelli semplificati: interruttore ideale (ON: V = 0 e I > 0; OFF: I = 0 e V < 0), con tensione di soglia V_γ, lineare a tratti (V_γ + r_D I), oppure l'esponenziale risolto per iterazione. Una rete a diodi si risolve ipotizzando lo stato di ogni diodo e verificando le condizioni (2^N casi per N diodi). Il diodo Zener in zona di breakdown inverso mantiene una tensione V_Z quasi costante (stabilizzatore). Per piccoli segnali il diodo è una resistenza r_d = V_T/I_D.Il diodo a giunzione - equazione, modelli e piccolo segnale →). Qui si usano i modelli ideale (Vγ=0V_\gamma=0, rD=0r_D=0) e con soglia VγV_\gamma.

Raddrizzatore a semionda

Generatore vg(t)=Vpsin⁡ωtv_g(t)=V_p\sin\omega t, diodo e resistenza RR in serie.

  • semionda positiva (vg>0v_g>0): diodo ON, vR=vgv_R=v_g (con soglia: vR=vg−Vγv_R=v_g-V_\gamma se vg>Vγv_g>V_\gamma);
  • semionda negativa: diodo OFF, vR=0v_R=0, e tutta la tensione vgv_g cade sul diodo: la tensione inversa massima è VpV_p (tensione di picco inversa, PIV; il diodo deve sopportarla).

Per il diodo ideale, su un periodo: Vmedio=1T∫0T/2Vpsin⁡ωt dt=Vpπ,Vrms2=1T∫0T/2Vp2sin⁡2ωt dt=Vp24 ⇒ Vrms=Vp2,V_{medio}=\frac1T\int_0^{T/2}V_p\sin\omega t\,dt=\frac{V_p}{\pi},\qquad V_{rms}^2=\frac1T\int_0^{T/2}V_p^2\sin^2\omega t\,dt=\frac{V_p^2}{4}\ \Rightarrow\ V_{rms}=\frac{V_p}2, PR=Vrms2R=Vp24R.P_R=\frac{V_{rms}^2}{R}=\frac{V_p^2}{4R}. La potenza è metà di quella che avrebbe la sinusoide intera (Vp2/(2R)V_p^2/(2R)): metà del tempo la corrente è nulla. Esempio: Vp=10 VV_p=10\ \mathrm V, R=100 ΩR=100\ \Omega: Vmedio=3,18 VV_{medio}=3{,}18\ \mathrm V, Vrms=5 VV_{rms}=5\ \mathrm V, P=0,25 WP=0{,}25\ \mathrm W (calcolati e verificati numericamente).

Grafico interattivo: Tensione sul carico di un raddrizzatore a semionda ideale con v_g = 10 sin(ωt), in funzione di ωt (radianti): positiva per metà periodo, nulla per l'altra metà

Raddrizzatore a doppia semionda

Con un ponte di quattro diodi (o con un trasformatore a presa centrale e due diodi) anche la semionda negativa è ribaltata: vR=∣vg∣v_R=|v_g| (con il ponte, due diodi in serie conducono per ciascuna semionda, quindi con soglia vR=∣vg∣−2Vγv_R=|v_g|-2V_\gamma). Per diodi ideali: Vmedio=2Vpπ,Vrms=Vp2,PR=Vp22R.V_{medio}=\frac{2V_p}{\pi},\qquad V_{rms}=\frac{V_p}{\sqrt2},\qquad P_R=\frac{V_p^2}{2R}. Per Vp=10 VV_p=10\ \mathrm V e R=100 ΩR=100\ \Omega: 6,37 V6{,}37\ \mathrm V di media e 0,5 W0{,}5\ \mathrm W.

Rivelatore di picco e filtro capacitivo

In parallelo al carico si mette un condensatore CC. Quando vgv_g supera la tensione vCv_C del condensatore il diodo conduce e CC si carica seguendo vgv_g fino al picco; quando vgv_g scende, il diodo si interdice e CC si scarica su RR con costante di tempo RCRC (vC≃Vpe−t/RCv_C\simeq V_pe^{-t/RC}) finché vgv_g lo raggiunge di nuovo. L'uscita diventa quasi costante, con una piccola oscillazione residua (ripple) di ampiezza picco-picco ΔV≃Vp TscaricaRC≃VpfRC(semionda),Vp2fRC(doppia semionda),\Delta V\simeq V_p\,\frac{T_{scarica}}{RC}\simeq\frac{V_p}{fRC}\quad\text{(semionda)},\qquad\frac{V_p}{2fRC}\quad\text{(doppia semionda)}, valida per ΔV≪Vp\Delta V\ll V_p (la scarica dura circa tutto il periodo T=1/fT=1/f, oppure T/2T/2 nella doppia semionda). Esempio: Vp=10 VV_p=10\ \mathrm V, f=50 Hzf=50\ \mathrm{Hz}, R=1 kΩR=1\ \mathrm{k\Omega}, C=100 μFC=100\ \mu\mathrm F (RC=100 ms=5TRC=100\ \mathrm{ms}=5T): la stima Vp/(fRC)=2 VV_p/(fRC)=2\ \mathrm V è un limite superiore; la simulazione passo passo dà 1,65 V1{,}65\ \mathrm V di ripple (tensione tra 8,358{,}35 e 10 V10\ \mathrm V, media 9,18 V9{,}18\ \mathrm V) a semionda e 0,83 V0{,}83\ \mathrm V a doppia semionda (media 9,60 V9{,}60\ \mathrm V). Il diodo conduce solo in brevi impulsi vicino al picco, con corrente di picco molto maggiore della corrente media del carico.

Diodo con generatore continuo in serie

Quando nel circuito c'è anche un generatore EE in serie al diodo e al carico conviene calcolare il generatore equivalente totale e confrontarlo con il verso di conduzione del diodo.

Esempio (tema d'esame giugno 2023 e luglio 2024 e 2025). vg=10sin⁡ωtv_g=10\sin\omega t e una batteria E=−15 VE=-15\ \mathrm V in serie nello stesso ramo (con il ++ verso il generatore), diodo ideale orientato in modo che possa condurre solo per tensione totale E+vg<0E+v_g<0 (anodo dal lato del resistore), R=25 ΩR=25\ \Omega. La tensione totale E+vg=−15+10sin⁡ωtE+v_g=-15+10\sin\omega t è sempre negativa (tra −25-25 e −5 V-5\ \mathrm V): il diodo è sempre ON e il circuito è lineare, con i=15−10sin⁡ωtRi=\dfrac{15-10\sin\omega t}{R} e vR=15−10sin⁡ωtv_R=15-10\sin\omega t (valore medio 15 V15\ \mathrm V, parte alternata di ampiezza 10 V10\ \mathrm V). La potenza è PR=152+102/2R=225+5025=11 WP_R=\frac{15^2+10^2/2}{R}=\frac{225+50}{25}=11\ \mathrm W (la componente continua e la sinusoide si sommano nei quadrati dei valori efficaci, Richiami di teoria dei circuiti per l'elettronicaIn elettronica si usano quasi solo strumenti di Teoria dei Circuiti: partitori (solo se non caricati), Thévenin e Norton per «vedere» una rete da due morsetti, sovrapposizione degli effetti, regime sinusoidale. Qui si fissano le regole di scrittura (unità di misura, kΩ·mA = V), la misura di una resistenza equivalente con un generatore di prova, e i tre risultati che tornano nei quesiti rapidi: potenza media di una somma di sinusoidi, ampiezza di una tensione RC e valore efficace di un'onda.Richiami di teoria dei circuiti per l'elettronica →). Se il diodo fosse orientato al contrario sarebbe sempre OFF e la potenza sarebbe nulla: nel risolvere questo tipo di quesito si guarda per prima cosa il segno della tensione totale rispetto al verso del diodo.

Raddrizzatore di precisione (con opamp)

Un diodo collegato a vinv_{in} non conduce finché vin<Vγv_{in}<V_\gamma e quindi non raddrizza segnali piccoli (<0,6 V<0{,}6\ \mathrm V). Mettendo il diodo nell'anello di retroazione di un opamp:

  • semionda non invertente: vinv_{in} al morsetto ++; uscita dell'opamp sull'anodo del diodo; il catodo è l'uscita vOv_O (con carico RLR_L a massa) e riporta vOv_O al morsetto −-. Per vin>0v_{in}>0 l'opamp porta l'uscita a vin+Vγv_{in}+V_\gamma (corto virtuale: vO=vinv_O=v_{in}): il diodo ON viene compensato dal guadagno, la caduta diventa Vγ/A≃0V_\gamma/A\simeq0. Per vin<0v_{in}<0 l'uscita dell'opamp va in saturazione negativa, il diodo è OFF e vO=0v_O=0 (il circuito non ha più retroazione, ma non importa: l'uscita utile è nulla).
  • La caratteristica è vO=max⁡(vin,0)v_O=\max(v_{in},0) anche per ampiezze di millivolt.

I limitatori di precisione e i raddrizzatori a doppia semionda di precisione si ottengono con due diodi in retroazione con un invertente (guadagni diversi nei due semiassi: vedi Reti a diodi e transcaratteristicheLa transcaratteristica V_out = f(V_in) di una rete con diodi (ideali o con soglia V_γ) e resistori è una spezzata: per ogni combinazione di stati dei diodi la rete è lineare e V_out è una retta; i punti di spezzamento sono i valori di V_in in cui un diodo cambia stato (corrente nulla per un diodo ON, tensione nulla/V_γ per uno OFF). Si costruisce con la tabella stati-intervalli-pendenze. Con un opamp la presenza dei diodi nel ramo non ne interrompe la retroazione finché c'è un altro percorso di retroazione negativa.Reti a diodi e transcaratteristiche →).

Transcaratteristica con soglia e resistenza del diodo (modello lineare a tratti)

Esempio (quesito rapido, tema d'esame gennaio 2025). Il generatore E∈[−6; 6] VE\in[-6;\,6]\ \mathrm V ha il morsetto ++ collegato al catodo di un diodo con Vγ=1 VV_\gamma=1\ \mathrm V e rD=10 Ωr_D=10\ \Omega; l'anodo è il nodo di uscita, dove R=40 ΩR=40\ \Omega chiude il circuito verso il morsetto −- di EE (VoutV_{out} è la tensione su RR, con ++ sul nodo del diodo). Il diodo conduce solo se l'anodo supera il catodo di VγV_\gamma.

  • Con E>0E>0 il catodo è a potenziale più alto dell'anodo (che con corrente nulla è a 00): diodo OFF, Vout=0V_{out}=0.
  • Per E<0E<0 la corrente II circola nel diodo dall'anodo al catodo e passa in RR dal morsetto −- verso il nodo del diodo: la maglia dà −R I=E+Vγ+rDI-R\,I=E+V_\gamma+r_DI, cioè I=−E+VγR+rDI=-\dfrac{E+V_\gamma}{R+r_D}, positiva solo se E<−VγE<-V_\gamma. La tensione su RR è Vout=−RIV_{out}=-RI: Vout=RR+rD (E+Vγ)=0,8 (E+1)(E≤−1 V),Vout=0(E≥−1 V).V_{out}=\frac{R}{R+r_D}\,(E+V_\gamma)=0{,}8\,(E+1)\quad(E\le-1\ \mathrm V),\qquad V_{out}=0\quad(E\ge-1\ \mathrm V). A E=−6 VE=-6\ \mathrm V si ha Vout=−4 VV_{out}=-4\ \mathrm V. Il punto di spezzamento è in E=−Vγ=−1 VE=-V_\gamma=-1\ \mathrm V e la pendenza del tratto che conduce è R/(R+rD)=0,8R/(R+r_D)=0{,}8.

Errori comuni

  • Usare per il valore medio Vp/2V_p/2 (è il valore efficace) o per la potenza Vp2/(2R)V_p^2/(2R) nel semionda (è del doppia semionda).
  • Dimenticare 2Vγ2V_\gamma nel ponte.
  • Applicare la formula del ripple con ΔV\Delta V non piccolo rispetto a VpV_p (è un'approssimazione per eccesso).
  • Non guardare il verso del diodo rispetto alla tensione totale di generatore e batteria.

Versione ripasso

  • Semionda ideale: vR=vgv_R=v_g per vg>0v_g>0; Vmedio=VpπV_{medio}=\frac{V_p}\pi, Vrms=Vp2V_{rms}=\frac{V_p}2, P=Vp24RP=\frac{V_p^2}{4R}; PIV =Vp=V_p; con soglia Vp−VγV_p-V_\gamma. Es.: Vp=10V_p=10 V, R=100 ΩR=100\ \Omega: 3,183{,}18 V, 55 V, 0,250{,}25 W.
  • Doppia semionda (ponte): vR=∣vg∣v_R=|v_g| (−2Vγ-2V_\gamma con il ponte); Vmedio=2VpπV_{medio}=\frac{2V_p}\pi, Vrms=Vp2V_{rms}=\frac{V_p}{\sqrt2}, P=Vp22RP=\frac{V_p^2}{2R} (6,376{,}37 V; 0,50{,}5 W).
  • Filtro capacitivo (rivelatore di picco): ripple ≃VpfRC\simeq\frac{V_p}{fRC} (semionda), Vp2fRC\frac{V_p}{2fRC} (doppia), per eccesso; es. 1010 V, 5050 Hz, 11 kΩ, 100 μ100\ \muF: simulato 1,651{,}65 V e 0,830{,}83 V.
  • Con batteria EE: valutare il segno di E+vgE+v_g rispetto al verso del diodo; E=−15E=-15, 10sin⁡ωt10\sin\omega t, R=25 ΩR=25\ \Omega, sempre ON: P=152+102/225=11P=\frac{15^2+10^2/2}{25}=11 W.
  • Precisione: diodo nell'anello dell'opamp: vO=max⁡(vin,0)v_O=\max(v_{in},0), caduta Vγ/AV_\gamma/A.
  • Diodo lineare a tratti (Vγ=1V_\gamma=1, rD=10 Ωr_D=10\ \Omega, R=40 ΩR=40\ \Omega): Vout=0V_{out}=0 per E≥−1E\ge-1, 0,8(E+1)0{,}8(E+1) per E<−1E<-1 (−4-4 V in E=−6E=-6).
  • Errori: Vp/2V_p/2 come media; 2Vγ2V_\gamma nel ponte; ripple non piccolo; verso del diodo.

Esercizi su questo argomento

Teoria collegata