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Note per Studenti Esercizio 20 · BJT inseguitore e MOSFET a gate comune, guadagno e resistenza di ingresso (tema d'esame agosto 2022)

Esercizio 20BJT inseguitore e MOSFET a gate comune, guadagno e resistenza di ingresso (tema d'esame agosto 2022)

Esame
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Testo (tema d'esame 31 agosto 2022, esercizio 1, 12 punti; lo stesso circuito e gli stessi dati il 28 agosto 2025). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei due dispositivi, il guadagno Av=vout/vinA_v=v_{out}/v_{in} e la resistenza Rin=vin/iinR_{in}=v_{in}/i_{in} vista dal generatore VsV_s. I parametri sono valutati in banda (condensatori di accoppiamento e di bypass in corto).

Figura (descritta). Alimentazione doppia ±VCC\pm V_{CC}. Il generatore VsV_s è collegato (senza condensatore) alla base di Q1Q_1 (npn), dove c'è anche la resistenza RPR_P verso massa. Il collettore di Q1Q_1 va a +VCC+V_{CC} tramite RCR_C; l'emettitore di Q1Q_1 è collegato al source di M1M_1 (n-MOS) e a RER_E verso −VCC-V_{CC}. Il gate di M1M_1 è sul partitore RG1R_{G1} (verso +VCC+V_{CC}) e RG2R_{G2} (verso −VCC-V_{CC}), con il condensatore di bypass CGC_G a massa. Il drain di M1M_1 va a +VCC+V_{CC} tramite RDR_D ed è l'uscita, tramite CLC_L, sul carico RLR_L.

Dati. VCC=15 VV_{CC}=15\ \mathrm V, RG1=100 kΩR_{G1}=100\ \mathrm{k\Omega}, RG2=140 kΩR_{G2}=140\ \mathrm{k\Omega}, RE=5 kΩR_E=5\ \mathrm{k\Omega}, RC=2 kΩR_C=2\ \mathrm{k\Omega}, RD=4 kΩR_D=4\ \mathrm{k\Omega}, RL=16 kΩR_L=16\ \mathrm{k\Omega}, RP=100 kΩR_P=100\ \mathrm{k\Omega}; IDSS=0,2 mAI_{DSS}=0{,}2\ \mathrm{mA}, Vt=0,8 VV_t=0{,}8\ \mathrm V, λ=0\lambda=0; βF=100\beta_F=100, β0=160\beta_0=160, VBE=0,7 VV_{BE}=0{,}7\ \mathrm V, ro=∞r_o=\infty, VT=25 mVV_T=25\ \mathrm{mV}.

Teoria usata: Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →, Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →, Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comuneGli stadi a MOSFET si ricavano da quelli a BJT con r_π → ∞ (nessuna corrente di gate): sono tutti unidirezionali (g12 = 0). Source comune: g21 = −g_m R_D/(1 + g_m R_S1), g11 = 1/R_G, g22 = R_D. Drain comune (inseguitore di source): A_v = g_m R_S'/(1 + g_m R_S'), R_out = R_S ∥ 1/g_m. Gate comune: g21 = g_m R_D, R_in = R_S ∥ 1/g_m. Il guadagno complessivo con sorgente e carico è A_v = [R_G/(R_g+R_G)]·g21·[R_L/(R_out+R_L)]. Con λ ≠ 0 compare r_o in parallelo a R_D; con resistenza di source non bypassata la resistenza di uscita del transistor sale a r_o(1+g_m R_S1)+R_S1.Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comune →.


1. Polarizzazione

Gate di M1M_1. Il partitore è tra +15+15 e −15 V-15\ \mathrm V (non caricato): VG=−15+30⋅RG2RG1+RG2=−15+30⋅140240=2,5 VV_G=-15+30\cdot\dfrac{R_{G2}}{R_{G1}+R_{G2}}=-15+30\cdot\dfrac{140}{240}=2{,}5\ \mathrm V.

Base di Q1Q_1. La base è collegata a massa tramite RPR_P (e il generatore, in continua, vale 00): VB=−RPIBV_B=-R_PI_B e VE=VB−VBE=−0,7−100 IBV_E=V_B-V_{BE}=-0{,}7-100\,I_B (kΩ, mA, V).

Nodo comune emettitore-source. Nel nodo entrano IE=(1+βF)IBI_E=(1+\beta_F)I_B (dall'emettitore) e IDI_D (dal source di M1M_1) e scendono in RER_E verso −VCC-V_{CC}: VE+155=101 IB+ID.\frac{V_E+15}{5}=101\,I_B+I_D. M1M_1 (saturazione): VGS=VG−VE=3,2+100 IBV_{GS}=V_G-V_E=3{,}2+100\,I_B e ID=0,2(VGS0,8−1)2=0,2 (3+125 IB)2I_D=0{,}2\Big(\dfrac{V_{GS}}{0{,}8}-1\Big)^2=0{,}2\,(3+125\,I_B)^2.

Sostituendo: 14,3−100IB5=101IB+0,2(9+750IB+15 625IB2)\dfrac{14{,}3-100I_B}{5}=101I_B+0{,}2(9+750I_B+15\,625I_B^2), cioè 3125 IB2+271 IB−1,06=0 ⇒ IB=−271+2712+4⋅3125⋅1,062⋅3125=3,75 μA.3125\,I_B^2+271\,I_B-1{,}06=0\ \Rightarrow\ I_B=\frac{-271+\sqrt{271^2+4\cdot3125\cdot1{,}06}}{2\cdot3125}=3{,}75\ \mu\mathrm A. IC=0,375 mA,IE=0,379 mA,VE=−1,075 V,VGS=3,575 V,ID=0,2 (3,469)2=2,41 mA.I_C=0{,}375\ \mathrm{mA},\quad I_E=0{,}379\ \mathrm{mA},\quad V_E=-1{,}075\ \mathrm V,\quad V_{GS}=3{,}575\ \mathrm V,\quad I_D=0{,}2\,(3{,}469)^2=2{,}41\ \mathrm{mA}. Controllo: (VE+15)/5=2,785 mA=0,379+2,406(V_E+15)/5=2{,}785\ \mathrm{mA}=0{,}379+2{,}406 ✓. Verifiche. Q1Q_1: VC=15−2⋅0,375=14,25 VV_C=15-2\cdot0{,}375=14{,}25\ \mathrm V, VCE=15,3 VV_{CE}=15{,}3\ \mathrm V: attivo. M1M_1: VD=15−4⋅2,41=5,37 VV_D=15-4\cdot2{,}41=5{,}37\ \mathrm V, VDS=6,45 V>VGS−Vt=2,77 VV_{DS}=6{,}45\ \mathrm V>V_{GS}-V_t=2{,}77\ \mathrm V: saturazione. ✓ (L'altra radice dell'equazione di secondo grado, negativa, non è accettabile.) La maggior parte della corrente di RER_E (2,412{,}41 di 2,79 mA2{,}79\ \mathrm{mA}) è fornita da M1M_1.

2. Parametri di piccolo segnale

gm1=2IDVGS−Vt=4,81 mA2,775 V=1,734 mS,gm2=0,375 mA25 mV=15,0 mS,rπ=16015,0 mS=10,67 kΩ.g_{m1}=\frac{2I_D}{V_{GS}-V_t}=\frac{4{,}81\ \mathrm{mA}}{2{,}775\ \mathrm V}=1{,}734\ \mathrm{mS},\qquad g_{m2}=\frac{0{,}375\ \mathrm{mA}}{25\ \mathrm{mV}}=15{,}0\ \mathrm{mS},\qquad r_\pi=\frac{160}{15{,}0\ \mathrm{mS}}=10{,}67\ \mathrm{k\Omega}.

3. Struttura del circuito di piccolo segnale

In banda CGC_G mette a massa il gate di M1M_1: M1M_1 è a gate comune (ingresso al source, uscita al drain) e la sua resistenza di ingresso è Ris=1/gm1=577 ΩR_{is}=1/g_{m1}=577\ \Omega (con λ=0\lambda=0). Q1Q_1 ha la base come ingresso e l'emettitore su un carico formato da RER_E in parallelo a RisR_{is}: è un inseguitore di emettitore (collettore comune); la resistenza RCR_C sul collettore non interviene nel segnale che arriva a M1M_1 (con ro=∞r_o=\infty la corrente di collettore non influisce sull'emettitore). Il carico dell'emettitore è Re=RE∥1gm1=5000∥577=517 Ω.R_e=R_E\Big\|\frac1{g_{m1}}=5000\Big\|577=517\ \Omega.

4. Guadagno

  • Stadio 1 (collettore comune, base →\to emettitore): vevin=(1+β0)Rerπ+(1+β0)Re=161⋅0,51710,67+161⋅0,517=83,293,9=0,886\dfrac{v_e}{v_{in}}=\dfrac{(1+\beta_0)R_e}{r_\pi+(1+\beta_0)R_e}=\dfrac{161\cdot0{,}517}{10{,}67+161\cdot0{,}517}=\dfrac{83{,}2}{93{,}9}=0{,}886 (la base è il nodo vinv_{in}: RPR_P è in parallelo al generatore e non lo carica in modo da cambiare vinv_{in}).
  • Stadio 2 (gate comune, source →\to drain): vgs=−vev_{gs}=-v_e e la corrente gm1vgsg_{m1}v_{gs} entra nel drain, per cui vout=gm1 (RD∥RL) ve=1,734 mS⋅3,2 kΩ⋅ve=5,55 vev_{out}=g_{m1}\,(R_D\|R_L)\,v_e=1{,}734\ \mathrm{mS}\cdot3{,}2\ \mathrm{k\Omega}\cdot v_e=5{,}55\,v_e (non invertente). Av=0,886⋅5,55=+4,92\boxed{A_v=0{,}886\cdot5{,}55=+4{,}92} (analisi nodale: 4,9194{,}919 ✓).

5. Resistenza di ingresso

Dal generatore si vede RPR_P in parallelo alla resistenza vista nella base di Q1Q_1, che è rπ+(1+β0)Rer_\pi+(1+\beta_0)R_e (la resistenza di emettitore, riflessa nella base moltiplicata per 1+β01+\beta_0): Rin=RP ∥ [rπ+(1+β0)Re]=100 ∥ (10,67+161⋅0,517)=100 ∥ 93,9=48,4 kΩ.R_{in}=R_P\,\Big\|\,\big[r_\pi+(1+\beta_0)R_e\big]=100\,\|\,(10{,}67+161\cdot0{,}517)=100\,\|\,93{,}9=48{,}4\ \mathrm{k\Omega}. (Verificato con un generatore di corrente di prova: 48,43 kΩ48{,}43\ \mathrm{k\Omega}.)

Errori comuni

  • Dimenticare che nel nodo comune emettitore-source si sommano IEI_E e IDI_D per ottenere la corrente in RER_E.
  • Calcolare VGV_G come partitore tra VCCV_{CC} e massa invece che tra +VCC+V_{CC} e −VCC-V_{CC}.
  • Usare RER_E da sola come carico dell'emettitore, senza il parallelo con 1/gm11/g_{m1} (resistenza di ingresso del gate comune).
  • Includere RCR_C nel guadagno: l'uscita è presa al drain di M1M_1, non al collettore.

Versione ripasso

Testo. ±15\pm15 V; npn con base su RP=100R_P=100k (e VsV_s), emettitore collegato al source di un n-MOS a gate comune (gate su 100100k/140140k tra ±VCC\pm V_{CC} con bypass, RE=5R_E=5k a −VCC-V_{CC}, drain su RD=4R_D=4k, RL=16R_L=16k); IDSS=0,2I_{DSS}=0{,}2 mA, Vt=0,8V_t=0{,}8 V, βF=100\beta_F=100, β0=160\beta_0=160, VBE=0,7V_{BE}=0{,}7 V: polarizzazione, AvA_v, RinR_{in}.

  • Polarizzazione: VG=2,5V_G=2{,}5 V; VE=−0,7−100IBV_E=-0{,}7-100I_B; VE+155=101IB+ID\frac{V_E+15}5=101I_B+I_D, ID=0,2(3+125IB)2I_D=0{,}2(3+125I_B)^2; 3125IB2+271IB−1,06=0⇒IB=3,75 μ3125I_B^2+271I_B-1{,}06=0\Rightarrow I_B=3{,}75\ \muA, IC=0,375I_C=0{,}375 mA, VE=−1,075V_E=-1{,}075 V, VGS=3,575V_{GS}=3{,}575 V, ID=2,41I_D=2{,}41 mA; VCE=15,3V_{CE}=15{,}3 V, VDS=6,45>2,77V_{DS}=6{,}45>2{,}77 V.
  • Piccolo segnale: gm1=1,734g_{m1}=1{,}734 mS, gm2=15g_{m2}=15 mS, rπ=10,67r_\pi=10{,}67 k. M1M_1 a gate comune (Ris=1gm1R_{is}=\frac1{g_{m1}}); Q1Q_1 collettore comune con carico Re=RE∥1gm1=517 ΩR_e=R_E\|\frac1{g_{m1}}=517\ \Omega.
  • AvA_v: (1+β0)Rerπ+(1+β0)Re=0,886\frac{(1+\beta_0)R_e}{r_\pi+(1+\beta_0)R_e}=0{,}886; gm1(RD∥RL)=5,55g_{m1}(R_D\|R_L)=5{,}55: Av=4,92A_v=4{,}92.
  • Rin=RP∥[rπ+(1+β0)Re]=100∥93,9=48,4R_{in}=R_P\|[r_\pi+(1+\beta_0)R_e]=100\|93{,}9=48{,}4 kΩ.
  • Errori: IE+IDI_E+I_D in RER_E; VGV_G tra ±VCC\pm V_{CC}; ReR_e con 1/gm11/g_{m1}; uscita al drain.

Teoria collegata