Esercizio 20BJT inseguitore e MOSFET a gate comune, guadagno e resistenza di ingresso (tema d'esame agosto 2022)
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Testo (tema d'esame 31 agosto 2022, esercizio 1, 12 punti; lo stesso circuito e gli stessi dati il 28 agosto 2025). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei due dispositivi, il guadagno e la resistenza vista dal generatore . I parametri sono valutati in banda (condensatori di accoppiamento e di bypass in corto).
Figura (descritta). Alimentazione doppia . Il generatore è collegato (senza condensatore) alla base di (npn), dove c'è anche la resistenza verso massa. Il collettore di va a tramite ; l'emettitore di è collegato al source di (n-MOS) e a verso . Il gate di è sul partitore (verso ) e (verso ), con il condensatore di bypass a massa. Il drain di va a tramite ed è l'uscita, tramite , sul carico .
Dati. , , , , , , , ; , , ; , , , , .
Teoria usata: Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →, Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →, Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comuneGli stadi a MOSFET si ricavano da quelli a BJT con r_π → ∞ (nessuna corrente di gate): sono tutti unidirezionali (g12 = 0). Source comune: g21 = −g_m R_D/(1 + g_m R_S1), g11 = 1/R_G, g22 = R_D. Drain comune (inseguitore di source): A_v = g_m R_S'/(1 + g_m R_S'), R_out = R_S ∥ 1/g_m. Gate comune: g21 = g_m R_D, R_in = R_S ∥ 1/g_m. Il guadagno complessivo con sorgente e carico è A_v = [R_G/(R_g+R_G)]·g21·[R_L/(R_out+R_L)]. Con λ ≠ 0 compare r_o in parallelo a R_D; con resistenza di source non bypassata la resistenza di uscita del transistor sale a r_o(1+g_m R_S1)+R_S1.Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comune →.
1. Polarizzazione
Gate di . Il partitore è tra e (non caricato): .
Base di . La base è collegata a massa tramite (e il generatore, in continua, vale ): e (kΩ, mA, V).
Nodo comune emettitore-source. Nel nodo entrano (dall'emettitore) e (dal source di ) e scendono in verso : (saturazione): e .
Sostituendo: , cioè Controllo: ✓. Verifiche. : , : attivo. : , : saturazione. ✓ (L'altra radice dell'equazione di secondo grado, negativa, non è accettabile.) La maggior parte della corrente di ( di ) è fornita da .
2. Parametri di piccolo segnale
3. Struttura del circuito di piccolo segnale
In banda mette a massa il gate di : è a gate comune (ingresso al source, uscita al drain) e la sua resistenza di ingresso è (con ). ha la base come ingresso e l'emettitore su un carico formato da in parallelo a : è un inseguitore di emettitore (collettore comune); la resistenza sul collettore non interviene nel segnale che arriva a (con la corrente di collettore non influisce sull'emettitore). Il carico dell'emettitore è
4. Guadagno
- Stadio 1 (collettore comune, base emettitore): (la base è il nodo : è in parallelo al generatore e non lo carica in modo da cambiare ).
- Stadio 2 (gate comune, source drain): e la corrente entra nel drain, per cui (non invertente). (analisi nodale: ✓).
5. Resistenza di ingresso
Dal generatore si vede in parallelo alla resistenza vista nella base di , che è (la resistenza di emettitore, riflessa nella base moltiplicata per ): (Verificato con un generatore di corrente di prova: .)
Errori comuni
- Dimenticare che nel nodo comune emettitore-source si sommano e per ottenere la corrente in .
- Calcolare come partitore tra e massa invece che tra e .
- Usare da sola come carico dell'emettitore, senza il parallelo con (resistenza di ingresso del gate comune).
- Includere nel guadagno: l'uscita è presa al drain di , non al collettore.
Versione ripasso
Testo. V; npn con base su k (e ), emettitore collegato al source di un n-MOS a gate comune (gate su k/k tra con bypass, k a , drain su k, k); mA, V, , , V: polarizzazione, , .
- Polarizzazione: V; ; , ; A, mA, V, V, mA; V, V.
- Piccolo segnale: mS, mS, k. a gate comune (); collettore comune con carico .
- : ; : .
- kΩ.
- Errori: in ; tra ; con ; uscita al drain.