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Note per Studenti Esercizio 22 · p-MOSFET e BJT a emettitore comune con bypass e tensione di Early (tema d'esame giugno 2023)

Esercizio 22p-MOSFET e BJT a emettitore comune con bypass e tensione di Early (tema d'esame giugno 2023)

Esame
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Testo (tema d'esame 23 giugno 2023, esercizio 1, 12 punti; lo stesso circuito con valori diversi compare il 29 agosto 2023, il 26 giugno 2024, il 30 gennaio 2025 e il 30 giugno 2025). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei due dispositivi (IDI_D, VDSV_{DS}, ICI_C, VCEV_{CE}), l'espressione e il valore del guadagno Av=vout/vinA_v=v_{out}/v_{in} e il valore della resistenza routr_{out} di figura. Successivamente, ipotizzando che in parallelo a RSR_S e a RER_E vengano posti due condensatori di bypass, valutare: il nuovo valore del guadagno AvA_v e il valore della resistenza routr_{out} nell'ipotesi che la tensione di Early del BJT sia VA=60 VV_A=60\ \mathrm V.

Figura (descritta). Alimentazioni VSS=+6 VV_{SS}=+6\ \mathrm V (in alto a sinistra), massa (in alto a destra) e VEE=−36 VV_{EE}=-36\ \mathrm V (in basso). M1M_1 è un p-MOS: il gate è al nodo vinv_{in} (generatore VgV_g e RGR_G verso massa: 0 V0\ \mathrm V in continua); il source va a VSSV_{SS} tramite RSR_S; il drain va a VEEV_{EE} tramite RDR_D ed è collegato direttamente alla base di Q1Q_1 (npn). Il collettore di Q1Q_1 va a massa tramite RCR_C e fornisce l'uscita voutv_{out} (con routr_{out} vista dall'uscita); l'emettitore va a VEEV_{EE} tramite RER_E.

Dati. VSS=6 VV_{SS}=6\ \mathrm V, VEE=−36 VV_{EE}=-36\ \mathrm V, RG=100 kΩR_G=100\ \mathrm{k\Omega}, RS=8 kΩR_S=8\ \mathrm{k\Omega}, RD=30 kΩR_D=30\ \mathrm{k\Omega}, RC=4 kΩR_C=4\ \mathrm{k\Omega}, RE=200 ΩR_E=200\ \Omega; IDSS=−2 mAI_{DSS}=-2\ \mathrm{mA}, Vt=−4 VV_t=-4\ \mathrm V, λ=0\lambda=0; βF=100\beta_F=100, β0=150\beta_0=150, VBE=0,738 VV_{BE}=0{,}738\ \mathrm V, VT=25 mVV_T=25\ \mathrm{mV}; ro=∞r_o=\infty (tranne nell'ultimo punto).

Teoria usata: Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →, Amplificatori multistadio e accoppiamento direttoUn amplificatore multistadio è una cascata di stadi elementari; con stadi unidirezionali ciascuno si sostituisce al successivo con la sua resistenza di ingresso e il guadagno totale è il prodotto: A_v = [R_in1/(R_in1+R_g)]·A_v1(carico R_in2)·A_v2(carico R_L). Si può accoppiare con condensatori (le polarizzazioni sono indipendenti) o direttamente (nessun condensatore: la polarizzazione dei due transistor va risolta insieme, si ottiene guadagno anche in continua ma sono più delicate stabilità e deriva). Con uno stadio a MOSFET seguito da uno a BJT il carico del MOSFET è R_D ∥ R_in2 e la resistenza di uscita finale è quella dell'ultimo stadio.Amplificatori multistadio e accoppiamento diretto →, Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →.


1. Polarizzazione di M1M_1

Gate a 0 V0\ \mathrm V; con u=∣ID∣u=|I_D| (mA, kΩ): VS=6−8uV_S=6-8u, VGS=−6+8uV_{GS}=-6+8u, e u=2(6−8u4−1)2=2 (0,5−2u)2 ⇒ 8u2−5u+0,5=0 ⇒ u=5±316=0,5 o 0,125 mA.u=2\Big(\frac{6-8u}{4}-1\Big)^2=2\,(0{,}5-2u)^2\ \Rightarrow\ 8u^2-5u+0{,}5=0\ \Rightarrow\ u=\frac{5\pm3}{16}=0{,}5\ \text{o}\ 0{,}125\ \mathrm{mA}. Conduzione: VGS<Vt=−4 VV_{GS}<V_t=-4\ \mathrm V, cioè u<0,25 mAu<0{,}25\ \mathrm{mA}: vale u=0,125 mAu=0{,}125\ \mathrm{mA} (0,50{,}5 darebbe VGS=−2 VV_{GS}=-2\ \mathrm V, sopra la soglia). ∣ID∣=0,125 mA,VGS=−5 V,VS=6−8⋅0,125=5 V.|I_D|=0{,}125\ \mathrm{mA},\qquad V_{GS}=-5\ \mathrm V,\qquad V_S=6-8\cdot0{,}125=5\ \mathrm V.

2. Polarizzazione di Q1Q_1

Nel nodo drain/base entra ∣ID∣|I_D| ed esce IBI_B; la differenza scende in RDR_D verso VEEV_{EE}: VB=VD=−36+30 (0,125−IB)=−32,25−30IBV_B=V_D=-36+30\,(0{,}125-I_B)=-32{,}25-30I_B. Emettitore: VE=VB−0,738=−32,988−30IBV_E=V_B-0{,}738=-32{,}988-30I_B e VE=VEE+RE(1+βF)IB=−36+20,2 IBV_E=V_{EE}+R_E(1+\beta_F)I_B=-36+20{,}2\,I_B. Uguagliando: 3,012=50,2 IB ⇒ IB=60,0 μA,IC=6,00 mA,IE=6,06 mA.3{,}012=50{,}2\,I_B\ \Rightarrow\ I_B=60{,}0\ \mu\mathrm A,\quad I_C=6{,}00\ \mathrm{mA},\quad I_E=6{,}06\ \mathrm{mA}. VB=VD=−34,05 V,VE=−34,79 V,VC=−RCIC=−24 V (la corrente di collettore scende da massa verso il collettore),VCE=10,8 V.V_B=V_D=-34{,}05\ \mathrm V,\quad V_E=-34{,}79\ \mathrm V,\quad V_C=-R_CI_C=-24\ \mathrm V\ (\text{la corrente di collettore scende da massa verso il collettore}),\quad V_{CE}=10{,}8\ \mathrm V. Verifiche. Q1Q_1: attivo (VCE=10,8 VV_{CE}=10{,}8\ \mathrm V, IB>0I_B>0). M1M_1: VDS=VD−VS=−34,05−5=−39,05 V<VGS−Vt=−1 VV_{DS}=V_D-V_S=-34{,}05-5=-39{,}05\ \mathrm V<V_{GS}-V_t=-1\ \mathrm V: saturazione. ✓

3. Parametri di piccolo segnale

gm1=2⋅0,125 mA1 V=0,25 mS,gm2=6 mA25 mV=240 mS,rπ=1500,24 S=625 Ω.g_{m1}=\frac{2\cdot0{,}125\ \mathrm{mA}}{1\ \mathrm V}=0{,}25\ \mathrm{mS},\qquad g_{m2}=\frac{6\ \mathrm{mA}}{25\ \mathrm{mV}}=240\ \mathrm{mS},\qquad r_\pi=\frac{150}{0{,}24\ \mathrm S}=625\ \Omega.

4. Guadagno e resistenza di uscita (circuito originale, senza bypass)

Q1Q_1 è un emettitore comune con RER_E non bypassata (CER); il suo ingresso (base) è il drain di M1M_1; M1M_1 è un source comune con RSR_S non bypassata. L'uscita è aperta (nessun carico).

  • Rin2=rπ+(1+β0)RE=625+151⋅200=30,83 kΩR_{in2}=r_\pi+(1+\beta_0)R_E=625+151\cdot200=30{,}83\ \mathrm{k\Omega} (carico del drain).
  • Av1=−gm1(RD∥Rin2)1+gm1RS=−0,25⋅(30∥30,83)1+0,25⋅8=−0,25⋅15,203=−1,267A_{v1}=-\dfrac{g_{m1}(R_D\|R_{in2})}{1+g_{m1}R_S}=-\dfrac{0{,}25\cdot(30\|30{,}83)}{1+0{,}25\cdot8}=-\dfrac{0{,}25\cdot15{,}20}{3}=-1{,}267.
  • Av2=−β0RCrπ+(1+β0)RE=−150⋅430,83=−19,46A_{v2}=-\dfrac{\beta_0R_C}{r_\pi+(1+\beta_0)R_E}=-\dfrac{150\cdot4}{30{,}83}=-19{,}46.

Av=Av1Av2=(−1,267)(−19,46)=+24,7(analisi nodale: 24,66 ✓)\boxed{A_v=A_{v1}A_{v2}=(-1{,}267)(-19{,}46)=+24{,}7}\qquad(\text{analisi nodale: }24{,}66\ \checkmark) Espressione: Av=gm1 (RD∥Rin2)1+gm1RS⋅β0RCRin2A_v=\dfrac{g_{m1}\,(R_D\|R_{in2})}{1+g_{m1}R_S}\cdot\dfrac{\beta_0R_C}{R_{in2}}. Resistenza di uscita (con ro=∞r_o=\infty il collettore è un generatore di corrente ideale): rout=RC=4 kΩr_{out}=R_C=4\ \mathrm{k\Omega} (verificata).

5. Con i condensatori di bypass su RSR_S e RER_E

In banda source ed emettitore sono a massa per il segnale. Rin2=rπ=625 ΩR_{in2}=r_\pi=625\ \Omega (nessuna RER_E), RD∥rπ=30 000∥625=612 ΩR_D\|r_\pi=30\,000\|625=612\ \Omega: Av1=−gm1(RD∥rπ)=−0,25 mS⋅612 Ω=−0,153,Av2=−gm2RC=−0,24 S⋅4000 Ω=−960,A_{v1}=-g_{m1}(R_D\|r_\pi)=-0{,}25\ \mathrm{mS}\cdot612\ \Omega=-0{,}153,\qquad A_{v2}=-g_{m2}R_C=-0{,}24\ \mathrm S\cdot4000\ \Omega=-960, Av=(−0,153)(−960)=+147\boxed{A_v=(-0{,}153)(-960)=+147} (analisi nodale: 146,9146{,}9 ✓: sei volte il guadagno senza bypass).

6. Resistenza di uscita con effetto Early

Con ∣VA∣=60 V|V_A|=60\ \mathrm V il BJT ha ro=VA+VCEIC=60+10,86 mA=11,8 kΩr_o=\dfrac{V_A+V_{CE}}{I_C}=\dfrac{60+10{,}8}{6\ \mathrm{mA}}=11{,}8\ \mathrm{k\Omega} tra collettore ed emettitore. Con l'emettitore a massa per il segnale (bypass), ror_o è in parallelo a RCR_C vista dall'uscita (il generatore pilotato gm2vπg_{m2}v_\pi è spento perché vπ=0v_\pi=0 senza segnale in ingresso e la tensione di prova non raggiunge la base): rout=RC ∥ ro=4 ∥ 11,8=2,99 kΩ.r_{out}=R_C\,\|\,r_o=4\,\|\,11{,}8=2{,}99\ \mathrm{k\Omega}. (Verificata con un generatore di corrente di prova: 2987 Ω2987\ \Omega.) Senza il bypass su RER_E, ror_o sarebbe moltiplicata da 1+gm2αRe′1+g_{m2}\alpha R_e' (vedi Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →) e rout≃RCr_{out}\simeq R_C.

Errori comuni

  • Dimenticare che VCV_C si misura da massa (qui RCR_C è verso massa e il collettore è negativo).
  • Scegliere u=0,5 mAu=0{,}5\ \mathrm{mA} (VGSV_{GS} sopra la soglia).
  • Con il bypass tenere RER_E nella Rin2R_{in2} (rπr_\pi invece di rπ+(1+β0)REr_\pi+(1+\beta_0)R_E).
  • Calcolare routr_{out} con RCR_C da sola quando c'è ror_o (e il bypass su RER_E): serve RC∥roR_C\|r_o.

Versione ripasso

Testo. VSS=6V_{SS}=6 V, VEE=−36V_{EE}=-36 V; p-MOS (IDSS=−2I_{DSS}=-2 mA, Vt=−4V_t=-4 V, gate a 00 V, RS=8R_S=8k, RD=30R_D=30k) con drain sulla base di un npn (βF=100\beta_F=100, β0=150\beta_0=150, VBE=0,738V_{BE}=0{,}738 V, RE=200 ΩR_E=200\ \Omega, RC=4R_C=4k a massa): polarizzazione, AvA_v, routr_{out}; poi con bypass su RSR_S e RER_E: AvA_v e routr_{out} con VA=60V_A=60 V.

  • M1M_1: VGS=−6+8uV_{GS}=-6+8u, u=2(0,5−2u)2u=2(0{,}5-2u)^2, 8u2−5u+0,5=0⇒u=0,1258u^2-5u+0{,}5=0\Rightarrow u=0{,}125 mA, VGS=−5V_{GS}=-5 V, VS=5V_S=5 V.
  • Q1Q_1: VB=−32,25−30IBV_B=-32{,}25-30I_B, VE=−36+20,2IBV_E=-36+20{,}2I_B ⇒\Rightarrow IB=60 μI_B=60\ \muA, IC=6I_C=6 mA, VB=−34,05V_B=-34{,}05 V, VE=−34,79V_E=-34{,}79 V, VC=−24V_C=-24 V, VCE=10,8V_{CE}=10{,}8 V, VDS=−39V_{DS}=-39 V.
  • Piccolo segnale: gm1=0,25g_{m1}=0{,}25 mS, gm2=240g_{m2}=240 mS, rπ=625 Ωr_\pi=625\ \Omega.
  • Senza bypass: Rin2=rπ+151RE=30,83R_{in2}=r_\pi+151R_E=30{,}83k; Av1=−gm1(RD∥Rin2)1+gm1RS=−1,267A_{v1}=-\frac{g_{m1}(R_D\|R_{in2})}{1+g_{m1}R_S}=-1{,}267; Av2=−β0RCRin2=−19,46A_{v2}=-\frac{\beta_0R_C}{R_{in2}}=-19{,}46; Av=24,7A_v=24{,}7; rout=RC=4r_{out}=R_C=4k.
  • Con bypass: Av1=−gm1(RD∥rπ)=−0,153A_{v1}=-g_{m1}(R_D\|r_\pi)=-0{,}153, Av2=−gm2RC=−960A_{v2}=-g_{m2}R_C=-960, Av=147A_v=147; ro=VA+VCEIC=11,8r_o=\frac{V_A+V_{CE}}{I_C}=11{,}8k, rout=RC∥ro=2,99r_{out}=R_C\|r_o=2{,}99k.
  • Errori: VCV_C da massa; radice sotto soglia; Rin2R_{in2} con bypass; RC∥roR_C\|r_o.

Teoria collegata