Esercizio 22p-MOSFET e BJT a emettitore comune con bypass e tensione di Early (tema d'esame giugno 2023)
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Testo (tema d'esame 23 giugno 2023, esercizio 1, 12 punti; lo stesso circuito con valori diversi compare il 29 agosto 2023, il 26 giugno 2024, il 30 gennaio 2025 e il 30 giugno 2025). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei due dispositivi (, , , ), l'espressione e il valore del guadagno e il valore della resistenza di figura. Successivamente, ipotizzando che in parallelo a e a vengano posti due condensatori di bypass, valutare: il nuovo valore del guadagno e il valore della resistenza nell'ipotesi che la tensione di Early del BJT sia .
Figura (descritta). Alimentazioni (in alto a sinistra), massa (in alto a destra) e (in basso). è un p-MOS: il gate è al nodo (generatore e verso massa: in continua); il source va a tramite ; il drain va a tramite ed è collegato direttamente alla base di (npn). Il collettore di va a massa tramite e fornisce l'uscita (con vista dall'uscita); l'emettitore va a tramite .
Dati. , , , , , , ; , , ; , , , ; (tranne nell'ultimo punto).
Teoria usata: Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →, Amplificatori multistadio e accoppiamento direttoUn amplificatore multistadio è una cascata di stadi elementari; con stadi unidirezionali ciascuno si sostituisce al successivo con la sua resistenza di ingresso e il guadagno totale è il prodotto: A_v = [R_in1/(R_in1+R_g)]·A_v1(carico R_in2)·A_v2(carico R_L). Si può accoppiare con condensatori (le polarizzazioni sono indipendenti) o direttamente (nessun condensatore: la polarizzazione dei due transistor va risolta insieme, si ottiene guadagno anche in continua ma sono più delicate stabilità e deriva). Con uno stadio a MOSFET seguito da uno a BJT il carico del MOSFET è R_D ∥ R_in2 e la resistenza di uscita finale è quella dell'ultimo stadio.Amplificatori multistadio e accoppiamento diretto →, Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →.
1. Polarizzazione di
Gate a ; con (mA, kΩ): , , e Conduzione: , cioè : vale ( darebbe , sopra la soglia).
2. Polarizzazione di
Nel nodo drain/base entra ed esce ; la differenza scende in verso : . Emettitore: e . Uguagliando: Verifiche. : attivo (, ). : : saturazione. ✓
3. Parametri di piccolo segnale
4. Guadagno e resistenza di uscita (circuito originale, senza bypass)
è un emettitore comune con non bypassata (CER); il suo ingresso (base) è il drain di ; è un source comune con non bypassata. L'uscita è aperta (nessun carico).
- (carico del drain).
- .
- .
Espressione: . Resistenza di uscita (con il collettore è un generatore di corrente ideale): (verificata).
5. Con i condensatori di bypass su e
In banda source ed emettitore sono a massa per il segnale. (nessuna ), : (analisi nodale: ✓: sei volte il guadagno senza bypass).
6. Resistenza di uscita con effetto Early
Con il BJT ha tra collettore ed emettitore. Con l'emettitore a massa per il segnale (bypass), è in parallelo a vista dall'uscita (il generatore pilotato è spento perché senza segnale in ingresso e la tensione di prova non raggiunge la base): (Verificata con un generatore di corrente di prova: .) Senza il bypass su , sarebbe moltiplicata da (vedi Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →) e .
Errori comuni
- Dimenticare che si misura da massa (qui è verso massa e il collettore è negativo).
- Scegliere ( sopra la soglia).
- Con il bypass tenere nella ( invece di ).
- Calcolare con da sola quando c'è (e il bypass su ): serve .
Versione ripasso
Testo. V, V; p-MOS ( mA, V, gate a V, k, k) con drain sulla base di un npn (, , V, , k a massa): polarizzazione, , ; poi con bypass su e : e con V.
- : , , mA, V, V.
- : , A, mA, V, V, V, V, V.
- Piccolo segnale: mS, mS, .
- Senza bypass: k; ; ; ; k.
- Con bypass: , , ; k, k.
- Errori: da massa; radice sotto soglia; con bypass; .