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Note per Studenti Esercizio 29 · n-MOSFET con due resistenze di source e BJT pnp a base comune, guadagno e resistenza di uscita con tensione di Early (tema d'esame giugno 2026)

Esercizio 29n-MOSFET con due resistenze di source e BJT pnp a base comune, guadagno e resistenza di uscita con tensione di Early (tema d'esame giugno 2026)

Esame
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Testo (tema d'esame 26 giugno 2026, esercizio 1, 12 punti). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei due dispositivi (IDI_D, VDSV_{DS}, ICI_C e VCEV_{CE}), l'espressione e il valore del guadagno Av=vout/vinA_v=v_{out}/v_{in} e il valore della resistenza routr_{out} di figura. Nella banda del segnale i condensatori possono essere considerati dei cortocircuiti.

Figura (descritta). Alimentazioni +VDD+V_{DD} in alto e −VDD-V_{DD} in basso. M1M_1 è un n-MOS: il gate è il nodo vinv_{in} (generatore VgV_g con RgR_g) con RGR_G verso massa (0 V0\ \mathrm V in continua); il drain va a VDDV_{DD} tramite RDR_D; il source va a −VDD-V_{DD} tramite RS2R_{S2} e a massa tramite RS1R_{S1}, con il condensatore CSC_S in parallelo a RS1R_{S1}. Il nodo di drain è collegato direttamente all'emettitore di Q1Q_1, un pnp con la base a massa. Il collettore di Q1Q_1 è il nodo di uscita: RCR_C verso −VDD-V_{DD}, voutv_{out} prelevata attraverso CLC_L sul carico RLR_L a massa; routr_{out} è la resistenza vista all'uscita (a monte di CLC_L e di RLR_L).

Dati. VDD=30 VV_{DD}=30\ \mathrm V, RG=100 kΩR_G=100\ \mathrm{k\Omega}, RS1=10 kΩR_{S1}=10\ \mathrm{k\Omega}, RS2=22 kΩR_{S2}=22\ \mathrm{k\Omega}, RD=15 kΩR_D=15\ \mathrm{k\Omega}, RC=15 kΩR_C=15\ \mathrm{k\Omega}, RL=10 kΩR_L=10\ \mathrm{k\Omega}, Rg=1 kΩR_g=1\ \mathrm{k\Omega}; IDSS=2,25 mAI_{DSS}=2{,}25\ \mathrm{mA}, Vt=1,5 VV_t=1{,}5\ \mathrm V, λ=0\lambda=0; VBE=−0,608 VV_{BE}=-0{,}608\ \mathrm V, βF=100\beta_F=100, β0=150\beta_0=150, ∣VA∣=70 V|V_A|=70\ \mathrm V, VT=25 mVV_T=25\ \mathrm{mV}.

Teoria usata: Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →, Modello a piccolo segnale del BJTPer piccole variazioni attorno al punto di lavoro il BJT in zona attiva diretta si comporta come una rete lineare: tra base ed emettitore la resistenza r_π = β0/g_m, tra collettore ed emettitore il generatore pilotato g_m v_π in parallelo alla resistenza r_o. I parametri dipendono solo dalla polarizzazione: g_m = |I_CQ|/V_T (≈ 40 mS per mA), r_π = β0/g_m, r_o = (V_A + V_CE)/I_C. Il modello è unidirezionale (nessun effetto del collettore sulla base). Un transistor con base e collettore in corto (collegamento a diodo) si comporta come resistenza 1/(g_m + 1/r_π) ≈ 1/g_m.Modello a piccolo segnale del BJT →, Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →, Amplificatori multistadio e accoppiamento direttoUn amplificatore multistadio è una cascata di stadi elementari; con stadi unidirezionali ciascuno si sostituisce al successivo con la sua resistenza di ingresso e il guadagno totale è il prodotto: A_v = [R_in1/(R_in1+R_g)]·A_v1(carico R_in2)·A_v2(carico R_L). Si può accoppiare con condensatori (le polarizzazioni sono indipendenti) o direttamente (nessun condensatore: la polarizzazione dei due transistor va risolta insieme, si ottiene guadagno anche in continua ma sono più delicate stabilità e deriva). Con uno stadio a MOSFET seguito da uno a BJT il carico del MOSFET è R_D ∥ R_in2 e la resistenza di uscita finale è quella dell'ultimo stadio.Amplificatori multistadio e accoppiamento diretto →.


1. Polarizzazione di M1M_1

Il gate è a 0 V0\ \mathrm V (nessuna corrente in RGR_G), quindi VS=−VGSV_S=-V_{GS}. La corrente IDI_D entra nel nodo di source ed esce verso massa attraverso RS1R_{S1} e verso −VDD-V_{DD} attraverso RS2R_{S2} (con VS<0V_S<0 la corrente in RS1R_{S1} è in realtà entrante, cioè RS1R_{S1} fornisce corrente al nodo): ID=VS−0RS1+VS+VDDRS2=−VGS10+30−VGS22(mA, V, kΩ).I_D=\frac{V_S-0}{R_{S1}}+\frac{V_S+V_{DD}}{R_{S2}}=-\frac{V_{GS}}{10}+\frac{30-V_{GS}}{22}\quad(\mathrm{mA},\ \mathrm V,\ \mathrm{k\Omega}). Con ID=2,25 (VGS/1,5−1)2=VGS2−3VGS+2,25I_D=2{,}25\,(V_{GS}/1{,}5-1)^2=V_{GS}^2-3V_{GS}+2{,}25: VGS2−3VGS+2,25=1,3636−0,14545 VGS ⇒ VGS2−2,8545 VGS+0,8864=0 ⇒ VGS=2,5 o 0,3545 V.V_{GS}^2-3V_{GS}+2{,}25=1{,}3636-0{,}14545\,V_{GS}\ \Rightarrow\ V_{GS}^2-2{,}8545\,V_{GS}+0{,}8864=0\ \Rightarrow\ V_{GS}=2{,}5\ \text{o}\ 0{,}3545\ \mathrm V. Condizione di conduzione VGS>Vt=1,5 VV_{GS}>V_t=1{,}5\ \mathrm V: vale VGS=2,5 VV_{GS}=2{,}5\ \mathrm V (l'altra radice è sotto soglia). VGS=2,5 V,VS=−2,5 V,ID=2,25(2,51,5−1)2=1 mA,VGS−Vt=1 V.V_{GS}=2{,}5\ \mathrm V,\quad V_S=-2{,}5\ \mathrm V,\quad I_D=2{,}25\Big(\frac{2{,}5}{1{,}5}-1\Big)^2=1\ \mathrm{mA},\quad V_{GS}-V_t=1\ \mathrm V. Controllo: ID=−2,510+27,522=−0,25+1,25=1,0 mAI_D=\dfrac{-2{,}5}{10}+\dfrac{27{,}5}{22}=-0{,}25+1{,}25=1{,}0\ \mathrm{mA} ✓.

2. Polarizzazione di Q1Q_1 e verifica di M1M_1

La base è a massa: VE=VB−VBE=0+0,608=0,608 VV_E=V_B-V_{BE}=0+0{,}608=0{,}608\ \mathrm V, che è anche la tensione del drain: VD=0,608 VV_D=0{,}608\ \mathrm V. La corrente di RDR_D è 30−0,60815=1,9595 mA\dfrac{30-0{,}608}{15}=1{,}9595\ \mathrm{mA}; di questa ID=1 mAI_D=1\ \mathrm{mA} va in M1M_1 e il resto entra nell'emettitore: IE=1,9595−1=0,9595 mA,IC=βF1+βFIE=0,950 mA,IB=IE1+βF=9,5 μA.I_E=1{,}9595-1=0{,}9595\ \mathrm{mA},\quad I_C=\frac{\beta_F}{1+\beta_F}I_E=0{,}950\ \mathrm{mA},\quad I_B=\frac{I_E}{1+\beta_F}=9{,}5\ \mu\mathrm A. La corrente ICI_C esce dal collettore e scende in RCR_C verso −VDD-V_{DD}: VC=−VDD+RCIC=−30+14,25=−15,75 V,VCE=VC−VE=−15,75−0,608=−16,36 V.V_C=-V_{DD}+R_CI_C=-30+14{,}25=-15{,}75\ \mathrm V,\qquad V_{CE}=V_C-V_E=-15{,}75-0{,}608=-16{,}36\ \mathrm V. VDS=VD−VS=0,608−(−2,5)=3,108 V>VGS−Vt=1 V: saturazione.V_{DS}=V_D-V_S=0{,}608-(-2{,}5)=3{,}108\ \mathrm V>V_{GS}-V_t=1\ \mathrm V:\ \text{saturazione}. Q1Q_1 è in zona attiva (∣VCE∣=16,4 V|V_{CE}|=16{,}4\ \mathrm V, IB>0I_B>0). Riassunto: ID=1 mAI_D=1\ \mathrm{mA}, VDS=3,11 VV_{DS}=3{,}11\ \mathrm V, IC=0,95 mAI_C=0{,}95\ \mathrm{mA}, VCE=−16,36 VV_{CE}=-16{,}36\ \mathrm V.

3. Parametri di piccolo segnale

gm1=2IDVGS−Vt=2 mS,gm2=ICVT=0,95 mA25 mV=38 mS,rπ=β0gm2=3,947 kΩ,g_{m1}=\frac{2I_D}{V_{GS}-V_t}=2\ \mathrm{mS},\qquad g_{m2}=\frac{I_C}{V_T}=\frac{0{,}95\ \mathrm{mA}}{25\ \mathrm{mV}}=38\ \mathrm{mS},\qquad r_\pi=\frac{\beta_0}{g_{m2}}=3{,}947\ \mathrm{k\Omega}, ro=∣VA∣+∣VCE∣IC=70+16,360,95 mA=90,9 kΩ.r_o=\frac{|V_A|+|V_{CE}|}{I_C}=\frac{70+16{,}36}{0{,}95\ \mathrm{mA}}=90{,}9\ \mathrm{k\Omega}.

4. Guadagno

In banda CSC_S cortocircuita RS1R_{S1} e il source è a massa; VDDV_{DD} e −VDD-V_{DD} sono masse; la base di Q1Q_1 è a massa. M1M_1 ha il drain collegato all'emettitore di Q1Q_1: i due dispositivi sono in parallelo come corrente sul nodo EE (la corrente del MOSFET viene fornita da RDR_D e dall'emettitore). Non c'è un cascode "in serie": M1M_1 sottrae al nodo la corrente id=gm1vini_d=g_{m1}v_{in} e Q1Q_1, che in base comune ha una resistenza di ingresso bassa, la fa passare in RC∥RLR_C\|R_L.

Resistenza vista dall'emettitore (base a massa, ror_o trascurata): Rie=rπ1+β0=3947151=26,1 Ω ≪RD.R_{ie}=\frac{r_\pi}{1+\beta_0}=\frac{3947}{151}=26{,}1\ \Omega\ \ll R_D. Nodo EE: veRD+id+ie=0\dfrac{v_e}{R_D}+i_d+i_e=0 con ie=veRiei_e=\dfrac{v_e}{R_{ie}} la corrente che entra nell'emettitore, da cui ie=−id RDRD+Rie=−0,9983 id.i_e=-i_d\,\frac{R_D}{R_D+R_{ie}}=-0{,}9983\,i_d. La corrente di collettore del pnp è ic=α0iei_c=\alpha_0i_e con α0=β01+β0=0,9934\alpha_0=\dfrac{\beta_0}{1+\beta_0}=0{,}9934 (esce dal collettore, quindi entra nel nodo di uscita con questo segno), e scorre nel parallelo RC∥RL=15∥10=6 kΩR_C\|R_L=15\|10=6\ \mathrm{k\Omega}: Av=−gm1 RDRD+Rie β01+β0 (RC∥RL)=−2⋅0,9983⋅0,9934⋅6=−11,9.\boxed{A_v=-g_{m1}\,\frac{R_D}{R_D+R_{ie}}\,\frac{\beta_0}{1+\beta_0}\,(R_C\|R_L)=-2\cdot0{,}9983\cdot0{,}9934\cdot6=-11{,}9}. Il segno è negativo: un aumento di vinv_{in} aumenta idi_d e riduce la corrente nell'emettitore, quindi anche quella di collettore, e la tensione di uscita scende. L'effetto di ror_o è trascurabile (ro≫RC∥RLr_o\gg R_C\|R_L): con ro=90,9 kΩr_o=90{,}9\ \mathrm{k\Omega} si ottiene −11,89-11{,}89 (senza ror_o: −11,90-11{,}90).

5. Resistenza di uscita

Spenti i generatori di segnale (vin=0v_{in}=0: gm1vgs=0g_{m1}v_{gs}=0, e M1M_1 non porta corrente di segnale, con λ=0\lambda=0). Si scollega RCR_C e si applica una tensione di prova VxV_x al collettore. Il nodo EE vede verso massa Rp1=RD∥rπ=15∥3,947=3,125 kΩR_{p1}=R_D\|r_\pi=15\|3{,}947=3{,}125\ \mathrm{k\Omega}; la tensione ve=IxRp1v_e=I_xR_{p1} e vπ=−vev_\pi=-v_e. La corrente IxI_x entra nel collettore, attraversa ror_o e il generatore pilotato gm2vπg_{m2}v_\pi (diretto dal collettore all'emettitore) ed esce dall'emettitore verso Rp1R_{p1}: Ix=Vx−vero+gm2vπ=Vx−IxRp1ro−gm2IxRp1 ⇒ Vx=Ix[ro+Rp1(1+gm2ro)].I_x=\frac{V_x-v_e}{r_o}+g_{m2}v_\pi=\frac{V_x-I_xR_{p1}}{r_o}-g_{m2}I_xR_{p1}\ \Rightarrow\ V_x=I_x\big[r_o+R_{p1}(1+g_{m2}r_o)\big]. La resistenza Rp1R_{p1} sull'emettitore (retroazione di corrente) moltiplica ror_o per 1+gm2Rp1≃119,81+g_{m2}R_{p1}\simeq119{,}8. Rout,Q=ro+Rp1(1+gm2ro)=90,9 k+3,125 k (1+38 mS⋅90,9 k)=10,9 MΩ,R_{out,Q}=r_o+R_{p1}(1+g_{m2}r_o)=90{,}9\ \mathrm{k}+3{,}125\ \mathrm{k}\,(1+38\ \mathrm{mS}\cdot90{,}9\ \mathrm{k})=10{,}9\ \mathrm{M\Omega}, e con RCR_C in parallelo: rout=RC∥Rout,Q=15 kΩ ∥ 10,9 MΩ=14,98 kΩ≃RC.\boxed{r_{out}=R_C\|R_{out,Q}=15\ \mathrm{k\Omega}\,\|\,10{,}9\ \mathrm{M\Omega}=14{,}98\ \mathrm{k\Omega}\simeq R_C}. Senza tensione di Early rout=RC=15 kΩr_{out}=R_C=15\ \mathrm{k\Omega} esattamente (il collettore è un generatore di corrente ideale).

Verifica numerica. Polarizzazione risolta con le equazioni complete (ID=1,000 mAI_D=1{,}000\ \mathrm{mA}, VGS=2,500 VV_{GS}=2{,}500\ \mathrm V, IC=0,94997 mAI_C=0{,}94997\ \mathrm{mA}, VCE=−16,358 VV_{CE}=-16{,}358\ \mathrm V, VDS=3,108 VV_{DS}=3{,}108\ \mathrm V); piccolo segnale con analisi nodale: Av=−11,8998A_v=-11{,}8998 (senza ror_o) e −11,8933-11{,}8933 (con ror_o); resistenza di uscita 15 000 Ω15\,000\ \Omega e 14 979 Ω14\,979\ \Omega. La formula chiusa dà Rout,Q=10,889 MΩR_{out,Q}=10{,}889\ \mathrm{M\Omega}.

Errori comuni

  • Trattare lo stadio come un cascode in serie: il drain di M1M_1 e l'emettitore di Q1Q_1 sono lo stesso nodo e RDR_D è in parallelo (la corrente di M1M_1 viene da RDR_D e dall'emettitore).
  • Dimenticare che RS1R_{S1} fornisce corrente al nodo di source (VS<0V_S<0): scrivendo solo ID=VDD+VSRS2I_D=\dfrac{V_{DD}+V_S}{R_{S2}} si ottiene 1,25 mA1{,}25\ \mathrm{mA} invece di 1 mA1\ \mathrm{mA}.
  • Prendere la radice VGS=0,35 VV_{GS}=0{,}35\ \mathrm V (sotto soglia).
  • Calcolare VCEV_{CE} senza il segno: con il pnp è negativo (−16,36 V-16{,}36\ \mathrm V); VC=−VDD+RCICV_C=-V_{DD}+R_CI_C, non −RCIC-R_CI_C.
  • Includere RLR_L in routr_{out}: la resistenza di figura è a monte del carico.
  • Usare per ror_o la formula VA/ICV_A/I_C senza ∣VCE∣|V_{CE}|.

Versione ripasso

Testo. ±30\pm30 V; n-MOS (IDSS=2,25I_{DSS}=2{,}25 mA, Vt=1,5V_t=1{,}5 V, gate a massa) con RS1=10R_{S1}=10k (con CSC_S) a massa e RS2=22R_{S2}=22k a −VDD-V_{DD}, RD=15R_D=15k; drain sull'emettitore di un pnp a base comune (VBE=−0,608V_{BE}=-0{,}608 V, βF=100\beta_F=100, β0=150\beta_0=150, ∣VA∣=70|V_A|=70 V), RC=15R_C=15k a −VDD-V_{DD}, RL=10R_L=10k. Polarizzazione, AvA_v, routr_{out}.

  • M1M_1: VS=−VGSV_S=-V_{GS}, ID=−VGS10+30−VGS22=VGS2−3VGS+2,25I_D=-\frac{V_{GS}}{10}+\frac{30-V_{GS}}{22}=V_{GS}^2-3V_{GS}+2{,}25 ⇒\Rightarrow VGS=2,5V_{GS}=2{,}5 V (non 0,350{,}35), ID=1I_D=1 mA, VS=−2,5V_S=-2{,}5 V.
  • Q1Q_1: VE=VD=0,608V_E=V_D=0{,}608 V, IRD=1,9595I_{R_D}=1{,}9595 mA, IE=0,9595I_E=0{,}9595 mA, IC=0,95I_C=0{,}95 mA, IB=9,5 μI_B=9{,}5\ \muA, VC=−15,75V_C=-15{,}75 V, VCE=−16,36V_{CE}=-16{,}36 V, VDS=3,108V_{DS}=3{,}108 V.
  • Piccolo segnale: gm1=2g_{m1}=2 mS, gm2=38g_{m2}=38 mS, rπ=3,947r_\pi=3{,}947k, ro=70+16,360,95=90,9r_o=\frac{70+16{,}36}{0{,}95}=90{,}9k; Rie=rπ1+β0=26,1 ΩR_{ie}=\frac{r_\pi}{1+\beta_0}=26{,}1\ \Omega.
  • Guadagno: Av=−gm1RDRD+Rieβ01+β0(RC∥RL)=−11,9A_v=-g_{m1}\frac{R_D}{R_D+R_{ie}}\frac{\beta_0}{1+\beta_0}(R_C\|R_L)=-11{,}9 (con ror_o: −11,89-11{,}89).
  • routr_{out}: Rout,Q=ro+Rp1(1+gm2ro)=10,9R_{out,Q}=r_o+R_{p1}(1+g_{m2}r_o)=10{,}9 MΩ\Omega, Rp1=RD∥rπ=3,125R_{p1}=R_D\|r_\pi=3{,}125k; rout=RC∥Rout,Q=14,98r_{out}=R_C\|R_{out,Q}=14{,}98k.
  • Errori: cascode in serie; corrente di RS1R_{S1} entrante; radice sotto soglia; segni di VCV_C, VCEV_{CE}; RLR_L in routr_{out}.

Teoria collegata