Esercizio 29n-MOSFET con due resistenze di source e BJT pnp a base comune, guadagno e resistenza di uscita con tensione di Early (tema d'esame giugno 2026)
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Testo (tema d'esame 26 giugno 2026, esercizio 1, 12 punti). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei due dispositivi (, , e ), l'espressione e il valore del guadagno e il valore della resistenza di figura. Nella banda del segnale i condensatori possono essere considerati dei cortocircuiti.
Figura (descritta). Alimentazioni in alto e in basso. è un n-MOS: il gate è il nodo (generatore con ) con verso massa ( in continua); il drain va a tramite ; il source va a tramite e a massa tramite , con il condensatore in parallelo a . Il nodo di drain è collegato direttamente all'emettitore di , un pnp con la base a massa. Il collettore di è il nodo di uscita: verso , prelevata attraverso sul carico a massa; è la resistenza vista all'uscita (a monte di e di ).
Dati. , , , , , , , ; , , ; , , , , .
Teoria usata: Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →, Modello a piccolo segnale del BJTPer piccole variazioni attorno al punto di lavoro il BJT in zona attiva diretta si comporta come una rete lineare: tra base ed emettitore la resistenza r_π = β0/g_m, tra collettore ed emettitore il generatore pilotato g_m v_π in parallelo alla resistenza r_o. I parametri dipendono solo dalla polarizzazione: g_m = |I_CQ|/V_T (≈ 40 mS per mA), r_π = β0/g_m, r_o = (V_A + V_CE)/I_C. Il modello è unidirezionale (nessun effetto del collettore sulla base). Un transistor con base e collettore in corto (collegamento a diodo) si comporta come resistenza 1/(g_m + 1/r_π) ≈ 1/g_m.Modello a piccolo segnale del BJT →, Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →, Amplificatori multistadio e accoppiamento direttoUn amplificatore multistadio è una cascata di stadi elementari; con stadi unidirezionali ciascuno si sostituisce al successivo con la sua resistenza di ingresso e il guadagno totale è il prodotto: A_v = [R_in1/(R_in1+R_g)]·A_v1(carico R_in2)·A_v2(carico R_L). Si può accoppiare con condensatori (le polarizzazioni sono indipendenti) o direttamente (nessun condensatore: la polarizzazione dei due transistor va risolta insieme, si ottiene guadagno anche in continua ma sono più delicate stabilità e deriva). Con uno stadio a MOSFET seguito da uno a BJT il carico del MOSFET è R_D ∥ R_in2 e la resistenza di uscita finale è quella dell'ultimo stadio.Amplificatori multistadio e accoppiamento diretto →.
1. Polarizzazione di
Il gate è a (nessuna corrente in ), quindi . La corrente entra nel nodo di source ed esce verso massa attraverso e verso attraverso (con la corrente in è in realtà entrante, cioè fornisce corrente al nodo): Con : Condizione di conduzione : vale (l'altra radice è sotto soglia). Controllo: ✓.
2. Polarizzazione di e verifica di
La base è a massa: , che è anche la tensione del drain: . La corrente di è ; di questa va in e il resto entra nell'emettitore: La corrente esce dal collettore e scende in verso : è in zona attiva (, ). Riassunto: , , , .
3. Parametri di piccolo segnale
4. Guadagno
In banda cortocircuita e il source è a massa; e sono masse; la base di è a massa. ha il drain collegato all'emettitore di : i due dispositivi sono in parallelo come corrente sul nodo (la corrente del MOSFET viene fornita da e dall'emettitore). Non c'è un cascode "in serie": sottrae al nodo la corrente e , che in base comune ha una resistenza di ingresso bassa, la fa passare in .
Resistenza vista dall'emettitore (base a massa, trascurata): Nodo : con la corrente che entra nell'emettitore, da cui La corrente di collettore del pnp è con (esce dal collettore, quindi entra nel nodo di uscita con questo segno), e scorre nel parallelo : Il segno è negativo: un aumento di aumenta e riduce la corrente nell'emettitore, quindi anche quella di collettore, e la tensione di uscita scende. L'effetto di è trascurabile (): con si ottiene (senza : ).
5. Resistenza di uscita
Spenti i generatori di segnale (: , e non porta corrente di segnale, con ). Si scollega e si applica una tensione di prova al collettore. Il nodo vede verso massa ; la tensione e . La corrente entra nel collettore, attraversa e il generatore pilotato (diretto dal collettore all'emettitore) ed esce dall'emettitore verso : La resistenza sull'emettitore (retroazione di corrente) moltiplica per . e con in parallelo: Senza tensione di Early esattamente (il collettore è un generatore di corrente ideale).
Verifica numerica. Polarizzazione risolta con le equazioni complete (, , , , ); piccolo segnale con analisi nodale: (senza ) e (con ); resistenza di uscita e . La formula chiusa dà .
Errori comuni
- Trattare lo stadio come un cascode in serie: il drain di e l'emettitore di sono lo stesso nodo e è in parallelo (la corrente di viene da e dall'emettitore).
- Dimenticare che fornisce corrente al nodo di source (): scrivendo solo si ottiene invece di .
- Prendere la radice (sotto soglia).
- Calcolare senza il segno: con il pnp è negativo (); , non .
- Includere in : la resistenza di figura è a monte del carico.
- Usare per la formula senza .
Versione ripasso
Testo. V; n-MOS ( mA, V, gate a massa) con k (con ) a massa e k a , k; drain sull'emettitore di un pnp a base comune ( V, , , V), k a , k. Polarizzazione, , .
- : , V (non ), mA, V.
- : V, mA, mA, mA, A, V, V, V.
- Piccolo segnale: mS, mS, k, k; .
- Guadagno: (con : ).
- : M, k; k.
- Errori: cascode in serie; corrente di entrante; radice sotto soglia; segni di , ; in .