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Note per Studenti Esercizio 28 · n-MOSFET con source bypassato e inseguitore di emettitore pnp, effetto di lambda (tema d'esame agosto 2024)

Esercizio 28n-MOSFET con source bypassato e inseguitore di emettitore pnp, effetto di lambda (tema d'esame agosto 2024)

Esame
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Testo (tema d'esame 22 agosto 2024, esercizio 1, 12 punti). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei due dispositivi (IDI_D, VDSV_{DS}, ICI_C e VCEV_{CE}) e il guadagno Av=vout/vinA_v=v_{out}/v_{in}. Nella banda del segnale i condensatori possono essere considerati dei cortocircuiti. Successivamente valutare il guadagno Av=vout/vinA_v=v_{out}/v_{in} nell'ipotesi λ=50⋅10−3 V−1\lambda=50\cdot10^{-3}\ \mathrm V^{-1}.

Figura (descritta). M1M_1 è un n-MOS: il gate è alimentato dal partitore RG1R_{G1} (verso VDDV_{DD}) e RG2R_{G2} (verso massa) e riceve il segnale vinv_{in} attraverso CGC_G (generatore VgV_g con RgR_g); il source va a massa tramite RSR_S, con il condensatore CSC_S in parallelo (RSR_S bypassata). Il drain va a VDDV_{DD} tramite RDR_D ed è collegato direttamente alla base di Q1Q_1, un pnp. L'emettitore di Q1Q_1 va a VDDV_{DD} tramite RER_E, il collettore è a massa. L'uscita voutv_{out} è prelevata sull'emettitore tramite CLC_L sul carico RLR_L verso massa.

Dati. VDD=36 VV_{DD}=36\ \mathrm V, RG1=1 MΩR_{G1}=1\ \mathrm{M\Omega}, RG2=200 kΩR_{G2}=200\ \mathrm{k\Omega}, RD=316 kΩR_D=316\ \mathrm{k\Omega}, RS=30 kΩR_S=30\ \mathrm{k\Omega}, RE=3 kΩR_E=3\ \mathrm{k\Omega}, RL=7 kΩR_L=7\ \mathrm{k\Omega}, Rg=1 kΩR_g=1\ \mathrm{k\Omega}; IDSS=0,4 mAI_{DSS}=0{,}4\ \mathrm{mA}, Vt=2 VV_t=2\ \mathrm V, λ=0\lambda=0 (poi 50⋅10−3 V−150\cdot10^{-3}\ \mathrm V^{-1}); βF=100\beta_F=100, β0=150\beta_0=150, VBE=−0,65 VV_{BE}=-0{,}65\ \mathrm V, VT=25 mVV_T=25\ \mathrm{mV}, ro=∞r_o=\infty.

Teoria usata: Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →, Amplificatori multistadio e accoppiamento direttoUn amplificatore multistadio è una cascata di stadi elementari; con stadi unidirezionali ciascuno si sostituisce al successivo con la sua resistenza di ingresso e il guadagno totale è il prodotto: A_v = [R_in1/(R_in1+R_g)]·A_v1(carico R_in2)·A_v2(carico R_L). Si può accoppiare con condensatori (le polarizzazioni sono indipendenti) o direttamente (nessun condensatore: la polarizzazione dei due transistor va risolta insieme, si ottiene guadagno anche in continua ma sono più delicate stabilità e deriva). Con uno stadio a MOSFET seguito da uno a BJT il carico del MOSFET è R_D ∥ R_in2 e la resistenza di uscita finale è quella dell'ultimo stadio.Amplificatori multistadio e accoppiamento diretto →, Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comuneGli stadi a MOSFET si ricavano da quelli a BJT con r_π → ∞ (nessuna corrente di gate): sono tutti unidirezionali (g12 = 0). Source comune: g21 = −g_m R_D/(1 + g_m R_S1), g11 = 1/R_G, g22 = R_D. Drain comune (inseguitore di source): A_v = g_m R_S'/(1 + g_m R_S'), R_out = R_S ∥ 1/g_m. Gate comune: g21 = g_m R_D, R_in = R_S ∥ 1/g_m. Il guadagno complessivo con sorgente e carico è A_v = [R_G/(R_g+R_G)]·g21·[R_L/(R_out+R_L)]. Con λ ≠ 0 compare r_o in parallelo a R_D; con resistenza di source non bypassata la resistenza di uscita del transistor sale a r_o(1+g_m R_S1)+R_S1.Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comune →, Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →.


1. Polarizzazione di M1M_1

VG=VDDRG2RG1+RG2=36⋅2001200=6 VV_G=V_{DD}\dfrac{R_{G2}}{R_{G1}+R_{G2}}=36\cdot\dfrac{200}{1200}=6\ \mathrm V. Con IDI_D in mA e RSR_S in kΩ: VGS=6−30IDV_{GS}=6-30I_D e ID=0,4(VGS2−1)2=0,4 (2−15ID)2 ⇒ 90ID2−25ID+1,6=0 ⇒ ID=25±7180=0,178 o 0,1 mA.I_D=0{,}4\Big(\frac{V_{GS}}{2}-1\Big)^2=0{,}4\,(2-15I_D)^2\ \Rightarrow\ 90I_D^2-25I_D+1{,}6=0\ \Rightarrow\ I_D=\frac{25\pm7}{180}=0{,}178\ \text{o}\ 0{,}1\ \mathrm{mA}. Con 0,178 mA0{,}178\ \mathrm{mA} sarebbe VGS=6−5,33=0,67 V<VtV_{GS}=6-5{,}33=0{,}67\ \mathrm V<V_t (interdizione): si scarta. ID=0,1 mA,VGS=3 V,VS=RSID=3 V,VGS−Vt=1 V.I_D=0{,}1\ \mathrm{mA},\qquad V_{GS}=3\ \mathrm V,\qquad V_S=R_SI_D=3\ \mathrm V,\qquad V_{GS}-V_t=1\ \mathrm V.

2. Polarizzazione di Q1Q_1 (accoppiamento diretto)

Nel nodo di drain (che è anche la base di Q1Q_1) arriva la corrente di RDR_D, entra la corrente di base IBI_B (in un pnp esce dalla base) ed esce IDI_D: VDD−VDRD+IB=ID.\frac{V_{DD}-V_D}{R_D}+I_B=I_D. Con VBE=VB−VE=−0,65 VV_{BE}=V_B-V_E=-0{,}65\ \mathrm V si ha VE=VD+0,65V_E=V_D+0{,}65, e dalla maglia dell'emettitore VDD−VE=REIE=RE(1+βF)IBV_{DD}-V_E=R_EI_E=R_E(1+\beta_F)I_B. Posto x=VDD−VDx=V_{DD}-V_D (V, mA, kΩ): x=0,65+303 IB,x316+IB=0,1 ⇒ 0,65+303IB316+IB=0,1 ⇒ 1,9589 IB=0,09794 ⇒ IB=0,050 mA.x=0{,}65+303\,I_B,\qquad \frac{x}{316}+I_B=0{,}1\ \Rightarrow\ \frac{0{,}65+303I_B}{316}+I_B=0{,}1\ \Rightarrow\ 1{,}9589\,I_B=0{,}09794\ \Rightarrow\ I_B=0{,}050\ \mathrm{mA}. IB=50 μA,IC=βFIB=5 mA,IE=5,05 mA,x=15,8 V,I_B=50\ \mu\mathrm A,\quad I_C=\beta_FI_B=5\ \mathrm{mA},\quad I_E=5{,}05\ \mathrm{mA},\quad x=15{,}8\ \mathrm V, VD=VB=20,2 V,VE=VDD−REIE=36−15,15=20,85 V,VCE=VC−VE=0−20,85=−20,85 V.V_D=V_B=20{,}2\ \mathrm V,\quad V_E=V_{DD}-R_EI_E=36-15{,}15=20{,}85\ \mathrm V,\quad V_{CE}=V_C-V_E=0-20{,}85=-20{,}85\ \mathrm V. VDS=VD−VS=20,2−3=17,2 V.V_{DS}=V_D-V_S=20{,}2-3=17{,}2\ \mathrm V. Verifiche. M1M_1: VDS=17,2 V>VGS−Vt=1 VV_{DS}=17{,}2\ \mathrm V>V_{GS}-V_t=1\ \mathrm V, saturazione ✓. Q1Q_1: VEC=20,85 VV_{EC}=20{,}85\ \mathrm V e IB>0I_B>0, zona attiva ✓. Controllo del nodo: 36−20,2316=0,05 mA\dfrac{36-20{,}2}{316}=0{,}05\ \mathrm{mA} da RDR_D più 0,05 mA0{,}05\ \mathrm{mA} dalla base fanno ID=0,1 mAI_D=0{,}1\ \mathrm{mA} ✓.

3. Parametri di piccolo segnale

gm1=2IDVGS−Vt=0,2 mS,gm2=ICVT=5 mA25 mV=200 mS,rπ=β0gm2=1500,2 S=750 Ω.g_{m1}=\frac{2I_D}{V_{GS}-V_t}=0{,}2\ \mathrm{mS},\qquad g_{m2}=\frac{I_C}{V_T}=\frac{5\ \mathrm{mA}}{25\ \mathrm{mV}}=200\ \mathrm{mS},\qquad r_\pi=\frac{\beta_0}{g_{m2}}=\frac{150}{0{,}2\ \mathrm S}=750\ \Omega.

4. Guadagno

CSC_S è un corto: il source è a massa per il segnale. Il collettore di Q1Q_1 è a massa: Q1Q_1 è un inseguitore di emettitore (collettore comune) il cui carico è RE∥RL=3∥7=2,1 kΩR_E\|R_L=3\|7=2{,}1\ \mathrm{k\Omega} (anche VDDV_{DD} è massa per il segnale). vinv_{in} è la tensione sul gate: RgR_g, RG1R_{G1} e RG2R_{G2} non compaiono.

  • Stadio 2. Resistenza di ingresso: Rin2=rπ+(1+β0)(RE∥RL)=0,75+151⋅2,1=317,85 kΩR_{in2}=r_\pi+(1+\beta_0)(R_E\|R_L)=0{,}75+151\cdot2{,}1=317{,}85\ \mathrm{k\Omega} e guadagno Av2=(1+β0)(RE∥RL)Rin2=317,1317,85=0,9976.A_{v2}=\frac{(1+\beta_0)(R_E\|R_L)}{R_{in2}}=\frac{317{,}1}{317{,}85}=0{,}9976.
  • Stadio 1. M1M_1 è un source comune con carico RD∥Rin2=316∥317,85=158,5 kΩR_D\|R_{in2}=316\|317{,}85=158{,}5\ \mathrm{k\Omega} (la resistenza di ingresso dello stadio 2 carica il drain): Av1=−gm1 (RD∥Rin2)=−0,2⋅158,5=−31,69.A_{v1}=-g_{m1}\,(R_D\|R_{in2})=-0{,}2\cdot158{,}5=-31{,}69. Av=Av1Av2=−31,69⋅0,9976=−31,6(analisi nodale: −31,62 ✓)\boxed{A_v=A_{v1}A_{v2}=-31{,}69\cdot0{,}9976=-31{,}6}\qquad(\text{analisi nodale: }-31{,}62\ \checkmark)

5. Effetto di λ=0,05 V−1\lambda=0{,}05\ \mathrm V^{-1}

Come negli altri temi con λ\lambda o VAV_A, il punto di lavoro resta quello già calcolato (λ=0\lambda=0) e il parametro entra nel modello di piccolo segnale come resistenza ro1r_{o1} tra drain e source: ro1=VDS+1/λID=17,2+200,1 mA=372 kΩ.r_{o1}=\frac{V_{DS}+1/\lambda}{I_D}=\frac{17{,}2+20}{0{,}1\ \mathrm{mA}}=372\ \mathrm{k\Omega}. Il drain vede ora anche ro1r_{o1} in parallelo: RD∥Rin2∥ro1=158,5∥372=111,1 kΩR_D\|R_{in2}\|r_{o1}=158{,}5\|372=111{,}1\ \mathrm{k\Omega} e Av1=−0,2⋅111,1=−22,2,Av=−22,2⋅0,9976=−22,2(analisi nodale: −22,17 ✓).A_{v1}=-0{,}2\cdot111{,}1=-22{,}2,\qquad\boxed{A_v=-22{,}2\cdot0{,}9976=-22{,}2}\qquad(\text{analisi nodale: }-22{,}17\ \checkmark). Il guadagno scende di circa il 30%30\%: RD=316 kΩR_D=316\ \mathrm{k\Omega} è paragonabile a ro1r_{o1}, quindi l'effetto di λ\lambda è grande.

Nota. Con ro≃1/(λID)=200 kΩr_o\simeq1/(\lambda I_D)=200\ \mathrm{k\Omega} (senza VDSV_{DS}) si otterrebbe −17,6-17{,}6: la formula del corso è ro=(VDS+1/λ)/IDr_o=(V_{DS}+1/\lambda)/I_D. Se si ricalcolasse anche il punto di lavoro con λ≠0\lambda\ne0, IDI_D salirebbe a 0,1075 mA0{,}1075\ \mathrm{mA} e il guadagno cambierebbe molto di più (−29,7-29{,}7), perché VGS−VtV_{GS}-V_t è solo 1 V1\ \mathrm V.

Errori comuni

  • Scegliere la radice ID=0,178 mAI_D=0{,}178\ \mathrm{mA} (VGS<VtV_{GS}<V_t).
  • Sbagliare il segno della corrente di base del pnp: la base cede corrente al nodo di drain, quindi ID=IRD+IBI_D=I_{R_D}+I_B.
  • Usare VCE=+20,85 VV_{CE}=+20{,}85\ \mathrm V per un pnp: con il collettore a massa è VCE=−20,85 VV_{CE}=-20{,}85\ \mathrm V (si usa il modulo nelle verifiche).
  • Dimenticare che il carico dell'inseguitore è RE∥RLR_E\|R_L e non RLR_L da sola.
  • Prendere RDR_D da sola come carico di M1M_1 senza metterla in parallelo con la resistenza di ingresso Rin2R_{in2} dello stadio a BJT (qui Rin2≃RDR_{in2}\simeq R_D, quindi il parallelo vale la metà: con RDR_D da sola si troverebbe −63-63 invece di −31,6-31{,}6).
  • Includere RgR_g o il partitore RG1R_{G1}-RG2R_{G2} in AvA_v.

Versione ripasso

Testo. VDD=36V_{DD}=36 V; n-MOS (IDSS=0,4I_{DSS}=0{,}4 mA, Vt=2V_t=2 V, gate su 11M/200200k, RS=30R_S=30k con CSC_S, RD=316R_D=316k) con drain sulla base di un pnp (βF=100\beta_F=100, β0=150\beta_0=150, VBE=−0,65V_{BE}=-0{,}65 V) con RE=3R_E=3k verso VDDV_{DD}, collettore a massa, uscita sull'emettitore su RL=7R_L=7k. Polarizzazione e AvA_v; poi con λ=0,05 V−1\lambda=0{,}05\ \mathrm V^{-1}.

  • M1M_1: VG=6V_G=6 V, VGS=6−30IDV_{GS}=6-30I_D, 90ID2−25ID+1,6=090I_D^2-25I_D+1{,}6=0 ⇒\Rightarrow ID=0,1I_D=0{,}1 mA (l'altra radice è sotto soglia), VGS=3V_{GS}=3 V, VS=3V_S=3 V.
  • Q1Q_1: VDD−VDRD+IB=ID\frac{V_{DD}-V_D}{R_D}+I_B=I_D e VDD−VD−0,65=RE(1+βF)IBV_{DD}-V_D-0{,}65=R_E(1+\beta_F)I_B ⇒\Rightarrow IB=50 μI_B=50\ \muA, IC=5I_C=5 mA, VD=20,2V_D=20{,}2 V, VE=20,85V_E=20{,}85 V, VCE=−20,85V_{CE}=-20{,}85 V, VDS=17,2V_{DS}=17{,}2 V.
  • Piccolo segnale: gm1=0,2g_{m1}=0{,}2 mS, gm2=200g_{m2}=200 mS, rπ=750 Ωr_\pi=750\ \Omega; carico dell'inseguitore RE∥RL=2,1R_E\|R_L=2{,}1k.
  • Guadagno: Rin2=rπ+151⋅2,1k=317,85R_{in2}=r_\pi+151\cdot2{,}1\mathrm k=317{,}85k; Av2=0,9976A_{v2}=0{,}9976; Av1=−gm1(RD∥Rin2)=−31,69A_{v1}=-g_{m1}(R_D\|R_{in2})=-31{,}69; Av=−31,6A_v=-31{,}6.
  • Con λ\lambda: ro1=VDS+1/λID=372r_{o1}=\frac{V_{DS}+1/\lambda}{I_D}=372k; RD∥Rin2∥ro1=111,1R_D\|R_{in2}\|r_{o1}=111{,}1k; Av=−22,2A_v=-22{,}2.
  • Errori: radice sotto soglia; segno di IBI_B nel pnp; VCE<0V_{CE}<0; carico RE∥RLR_E\|R_L; Rin2R_{in2} in parallelo a RDR_D; ro=1λIDr_o=\frac1{\lambda I_D}.

Teoria collegata