Esercizio 28n-MOSFET con source bypassato e inseguitore di emettitore pnp, effetto di lambda (tema d'esame agosto 2024)
In questa pagina 6
Testo (tema d'esame 22 agosto 2024, esercizio 1, 12 punti). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei due dispositivi (, , e ) e il guadagno . Nella banda del segnale i condensatori possono essere considerati dei cortocircuiti. Successivamente valutare il guadagno nell'ipotesi .
Figura (descritta). è un n-MOS: il gate è alimentato dal partitore (verso ) e (verso massa) e riceve il segnale attraverso (generatore con ); il source va a massa tramite , con il condensatore in parallelo ( bypassata). Il drain va a tramite ed è collegato direttamente alla base di , un pnp. L'emettitore di va a tramite , il collettore è a massa. L'uscita è prelevata sull'emettitore tramite sul carico verso massa.
Dati. , , , , , , , ; , , (poi ); , , , , .
Teoria usata: Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →, Amplificatori multistadio e accoppiamento direttoUn amplificatore multistadio è una cascata di stadi elementari; con stadi unidirezionali ciascuno si sostituisce al successivo con la sua resistenza di ingresso e il guadagno totale è il prodotto: A_v = [R_in1/(R_in1+R_g)]·A_v1(carico R_in2)·A_v2(carico R_L). Si può accoppiare con condensatori (le polarizzazioni sono indipendenti) o direttamente (nessun condensatore: la polarizzazione dei due transistor va risolta insieme, si ottiene guadagno anche in continua ma sono più delicate stabilità e deriva). Con uno stadio a MOSFET seguito da uno a BJT il carico del MOSFET è R_D ∥ R_in2 e la resistenza di uscita finale è quella dell'ultimo stadio.Amplificatori multistadio e accoppiamento diretto →, Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comuneGli stadi a MOSFET si ricavano da quelli a BJT con r_π → ∞ (nessuna corrente di gate): sono tutti unidirezionali (g12 = 0). Source comune: g21 = −g_m R_D/(1 + g_m R_S1), g11 = 1/R_G, g22 = R_D. Drain comune (inseguitore di source): A_v = g_m R_S'/(1 + g_m R_S'), R_out = R_S ∥ 1/g_m. Gate comune: g21 = g_m R_D, R_in = R_S ∥ 1/g_m. Il guadagno complessivo con sorgente e carico è A_v = [R_G/(R_g+R_G)]·g21·[R_L/(R_out+R_L)]. Con λ ≠ 0 compare r_o in parallelo a R_D; con resistenza di source non bypassata la resistenza di uscita del transistor sale a r_o(1+g_m R_S1)+R_S1.Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comune →, Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →.
1. Polarizzazione di
. Con in mA e in kΩ: e Con sarebbe (interdizione): si scarta.
2. Polarizzazione di (accoppiamento diretto)
Nel nodo di drain (che è anche la base di ) arriva la corrente di , entra la corrente di base (in un pnp esce dalla base) ed esce : Con si ha , e dalla maglia dell'emettitore . Posto (V, mA, kΩ): Verifiche. : , saturazione ✓. : e , zona attiva ✓. Controllo del nodo: da più dalla base fanno ✓.
3. Parametri di piccolo segnale
4. Guadagno
è un corto: il source è a massa per il segnale. Il collettore di è a massa: è un inseguitore di emettitore (collettore comune) il cui carico è (anche è massa per il segnale). è la tensione sul gate: , e non compaiono.
- Stadio 2. Resistenza di ingresso: e guadagno
- Stadio 1. è un source comune con carico (la resistenza di ingresso dello stadio 2 carica il drain):
5. Effetto di
Come negli altri temi con o , il punto di lavoro resta quello già calcolato () e il parametro entra nel modello di piccolo segnale come resistenza tra drain e source: Il drain vede ora anche in parallelo: e Il guadagno scende di circa il : è paragonabile a , quindi l'effetto di è grande.
Nota. Con (senza ) si otterrebbe : la formula del corso è . Se si ricalcolasse anche il punto di lavoro con , salirebbe a e il guadagno cambierebbe molto di più (), perché è solo .
Errori comuni
- Scegliere la radice ().
- Sbagliare il segno della corrente di base del pnp: la base cede corrente al nodo di drain, quindi .
- Usare per un pnp: con il collettore a massa è (si usa il modulo nelle verifiche).
- Dimenticare che il carico dell'inseguitore è e non da sola.
- Prendere da sola come carico di senza metterla in parallelo con la resistenza di ingresso dello stadio a BJT (qui , quindi il parallelo vale la metà: con da sola si troverebbe invece di ).
- Includere o il partitore - in .
Versione ripasso
Testo. V; n-MOS ( mA, V, gate su M/k, k con , k) con drain sulla base di un pnp (, , V) con k verso , collettore a massa, uscita sull'emettitore su k. Polarizzazione e ; poi con .
- : V, , mA (l'altra radice è sotto soglia), V, V.
- : e A, mA, V, V, V, V.
- Piccolo segnale: mS, mS, ; carico dell'inseguitore k.
- Guadagno: k; ; ; .
- Con : k; k; .
- Errori: radice sotto soglia; segno di nel pnp; ; carico ; in parallelo a ; .