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Note per Studenti Esercizio 25 · n-MOSFET con specchio di corrente a pnp come carico, guadagno con e senza tensione di Early (tema d'esame agosto 2021)

Esercizio 25n-MOSFET con specchio di corrente a pnp come carico, guadagno con e senza tensione di Early (tema d'esame agosto 2021)

Esame
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Testo (tema d'esame 25 agosto 2021, esercizio 1, 12 punti). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei dispositivi e il valore del guadagno Av=vout/vinA_v=v_{out}/v_{in}, valutato in banda, cioè considerando come cortocircuiti i condensatori di accoppiamento. Successivamente calcolare il nuovo valore del guadagno nell'ipotesi che i transistor bipolari abbiano una tensione di Early ∣VA∣=30 V|V_A|=30\ \mathrm V (ro≠∞r_o\ne\infty).

Figura (descritta). M1M_1 è un n-MOS. Il gate riceve la polarizzazione dal partitore RG1R_{G1} (verso VCCV_{CC}) e RG2R_{G2} (verso massa) e il segnale vinv_{in} attraverso CGC_G (generatore VgV_g con RgR_g); il source va a massa tramite RSR_S (senza condensatore di bypass). Il drain è collegato al nodo che unisce le basi di Q1Q_1 e Q2Q_2 e il collettore di Q1Q_1: Q1Q_1 ha base e collettore in corto, cioè è un diodo. Q1Q_1 e Q2Q_2 sono due pnp con gli emettitori a VCCV_{CC}: formano uno specchio di corrente che fa da carico attivo di M1M_1. Il collettore di Q2Q_2 è il nodo di uscita: RCR_C verso massa, e voutv_{out} prelevata attraverso CLC_L sul carico RLR_L.

Dati. VCC=36 VV_{CC}=36\ \mathrm V, RG1=120 kΩR_{G1}=120\ \mathrm{k\Omega}, RG2=40 kΩR_{G2}=40\ \mathrm{k\Omega}, RS=3 kΩR_S=3\ \mathrm{k\Omega}, RC=20 kΩR_C=20\ \mathrm{k\Omega}, RL=60 kΩR_L=60\ \mathrm{k\Omega}, Rg=10 kΩR_g=10\ \mathrm{k\Omega}; IDSS=6 mAI_{DSS}=6\ \mathrm{mA}, Vt=3 VV_t=3\ \mathrm V, λ=0\lambda=0; βF=100\beta_F=100, β0=180\beta_0=180, VBE=−0,7 VV_{BE}=-0{,}7\ \mathrm V, VT=25 mVV_T=25\ \mathrm{mV}, ro=∞r_o=\infty (tranne nell'ultimo punto).

Teoria usata: Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Specchi di correnteUn generatore di corrente reale è un circuito che mantiene quasi costante la corrente al variare della tensione ai suoi capi. Lo specchio di corrente usa due transistor con la stessa V_BE (o V_GS): il transistor a diodo Q1 fissa la tensione e Q2 copia la corrente, I_C2 = I_R β_F/(β_F + 2) ≈ I_R per il BJT, I_D2 = I_R (W/L)2/(W/L)1 per il MOSFET. La resistenza di uscita è r_o (Early) nello specchio elementare, più alta con resistenze di emettitore, cascode (≈ r_o(1+β0)) o Wilson (2r_o). Con una resistenza di emettitore solo su Q2 (schema di Widlar) si ottengono correnti piccole: R_E = (V_T/I_C) ln(I_R/I_C). Nei circuiti integrati gli specchi polarizzano gli stadi e fanno da carico attivo.Specchi di corrente →, Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comuneGli stadi a MOSFET si ricavano da quelli a BJT con r_π → ∞ (nessuna corrente di gate): sono tutti unidirezionali (g12 = 0). Source comune: g21 = −g_m R_D/(1 + g_m R_S1), g11 = 1/R_G, g22 = R_D. Drain comune (inseguitore di source): A_v = g_m R_S'/(1 + g_m R_S'), R_out = R_S ∥ 1/g_m. Gate comune: g21 = g_m R_D, R_in = R_S ∥ 1/g_m. Il guadagno complessivo con sorgente e carico è A_v = [R_G/(R_g+R_G)]·g21·[R_L/(R_out+R_L)]. Con λ ≠ 0 compare r_o in parallelo a R_D; con resistenza di source non bypassata la resistenza di uscita del transistor sale a r_o(1+g_m R_S1)+R_S1.Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comune →, Amplificatori multistadio e accoppiamento direttoUn amplificatore multistadio è una cascata di stadi elementari; con stadi unidirezionali ciascuno si sostituisce al successivo con la sua resistenza di ingresso e il guadagno totale è il prodotto: A_v = [R_in1/(R_in1+R_g)]·A_v1(carico R_in2)·A_v2(carico R_L). Si può accoppiare con condensatori (le polarizzazioni sono indipendenti) o direttamente (nessun condensatore: la polarizzazione dei due transistor va risolta insieme, si ottiene guadagno anche in continua ma sono più delicate stabilità e deriva). Con uno stadio a MOSFET seguito da uno a BJT il carico del MOSFET è R_D ∥ R_in2 e la resistenza di uscita finale è quella dell'ultimo stadio.Amplificatori multistadio e accoppiamento diretto →.


1. Polarizzazione di M1M_1

Il gate non assorbe corrente: VG=VCCRG2RG1+RG2=36⋅40160=9 VV_G=V_{CC}\dfrac{R_{G2}}{R_{G1}+R_{G2}}=36\cdot\dfrac{40}{160}=9\ \mathrm V. Con IDI_D in mA e RSR_S in kΩ: VGS=9−3IDV_{GS}=9-3I_D e ID=6(VGS3−1)2=6 (2−ID)2 ⇒ 6ID2−25ID+24=0 ⇒ ID=25±712=2,667 o 1,5 mA.I_D=6\Big(\frac{V_{GS}}{3}-1\Big)^2=6\,(2-I_D)^2\ \Rightarrow\ 6I_D^2-25I_D+24=0\ \Rightarrow\ I_D=\frac{25\pm7}{12}=2{,}667\ \text{o}\ 1{,}5\ \mathrm{mA}. Condizione di conduzione VGS>Vt=3 VV_{GS}>V_t=3\ \mathrm V: con 2,667 mA2{,}667\ \mathrm{mA} sarebbe VGS=9−8=1 V<3V_{GS}=9-8=1\ \mathrm V<3 (MOSFET interdetto), quindi si scarta. ID=1,5 mA,VGS=4,5 V,VS=RSID=4,5 V,VGS−Vt=1,5 V.I_D=1{,}5\ \mathrm{mA},\qquad V_{GS}=4{,}5\ \mathrm V,\qquad V_S=R_SI_D=4{,}5\ \mathrm V,\qquad V_{GS}-V_t=1{,}5\ \mathrm V.

2. Polarizzazione dello specchio

Q1Q_1 è un diodo: la sua tensione è VEB1=0,7 VV_{EB1}=0{,}7\ \mathrm V, quindi il drain di M1M_1 sta a VD=VCC−0,7=35,3 VV_D=V_{CC}-0{,}7=35{,}3\ \mathrm V e VDS=35,3−4,5=30,8 V>VGS−Vt=1,5 V ⇒ saturazione.V_{DS}=35{,}3-4{,}5=30{,}8\ \mathrm V>V_{GS}-V_t=1{,}5\ \mathrm V\ \Rightarrow\ \text{saturazione}. La corrente IDI_D è fornita da Q1Q_1 (corrente di collettore IC1I_{C1}) e dalle correnti di base di entrambi i transistor (le due basi sono collegate al drain): ID=IC1+IB1+IB2=IC1(1+2βF) ⇒ IC1=1,51,02=1,471 mA,IB1=IB2=14,7 μA.I_D=I_{C1}+I_{B1}+I_{B2}=I_{C1}\Big(1+\frac{2}{\beta_F}\Big)\ \Rightarrow\ I_{C1}=\frac{1{,}5}{1{,}02}=1{,}471\ \mathrm{mA},\quad I_{B1}=I_{B2}=14{,}7\ \mu\mathrm A. Q2Q_2 ha la stessa VBEV_{BE} e ro=∞r_o=\infty: IC2=IC1=1,471 mAI_{C2}=I_{C1}=1{,}471\ \mathrm{mA}. In continua CLC_L è aperto e IC2I_{C2} scende tutta in RCR_C: VC2=RCIC2=20⋅1,471=29,41 V,VEC2=36−29,41=6,59 V (VCE=−6,59 V).V_{C2}=R_CI_{C2}=20\cdot1{,}471=29{,}41\ \mathrm V,\qquad V_{EC2}=36-29{,}41=6{,}59\ \mathrm V\ (V_{CE}=-6{,}59\ \mathrm V). Verifica. Q2Q_2 è in zona attiva (VEC=6,59 V>0,2 VV_{EC}=6{,}59\ \mathrm V>0{,}2\ \mathrm V e IB>0I_B>0); Q1Q_1 è al limite (VCB=0V_{CB}=0), come ogni diodo ottenuto con un transistor.

3. Parametri di piccolo segnale

gm1=2IDVGS−Vt=2⋅1,51,5=2 mS,gm=ICVT=1,471 mA25 mV=58,8 mS,rπ=β0gm=1800,0588=3,06 kΩ.g_{m1}=\frac{2I_D}{V_{GS}-V_t}=\frac{2\cdot1{,}5}{1{,}5}=2\ \mathrm{mS},\qquad g_m=\frac{I_C}{V_T}=\frac{1{,}471\ \mathrm{mA}}{25\ \mathrm{mV}}=58{,}8\ \mathrm{mS},\qquad r_\pi=\frac{\beta_0}{g_m}=\frac{180}{0{,}0588}=3{,}06\ \mathrm{k\Omega}.

4. Guadagno (senza effetto Early)

vinv_{in} è la tensione sul gate (dopo RgR_g e CGC_G): RG1R_{G1} e RG2R_{G2} non intervengono nel rapporto vout/vinv_{out}/v_{in}.

M1M_1 è un source comune con RSR_S non bypassata: vgs=vin−RSidv_{gs}=v_{in}-R_Si_d, quindi id=gm11+gm1RS vin=2 mS1+2⋅3 vin=0,2857 mS  vin.i_d=\frac{g_{m1}}{1+g_{m1}R_S}\,v_{in}=\frac{2\ \mathrm{mS}}{1+2\cdot3}\,v_{in}=0{,}2857\ \mathrm{mS}\;v_{in}. Specchio. Per il segnale gli emettitori sono a massa (VCCV_{CC} è un nodo fisso). Nel nodo drain/basi/collettore di Q1Q_1 la corrente idi_d si divide in gmvπg_mv_\pi (collettore di Q1Q_1) e nelle due correnti di base vπ/rπv_\pi/r_\pi, con la stessa vπv_\pi ai capi dei due emettitori: id=vπ(gm+2rπ) ⇒ ic2=gmvπ=id1+2β0=id1+2/180=0,989 id,i_d=v_\pi\Big(g_m+\frac2{r_\pi}\Big)\ \Rightarrow\ i_{c2}=g_mv_\pi=\frac{i_d}{1+\dfrac{2}{\beta_0}}=\frac{i_d}{1+2/180}=0{,}989\,i_d, perché gmrπ=β0g_mr_\pi=\beta_0. La corrente ic2i_{c2} (pnp: esce dal collettore) entra nel nodo di uscita, dove trova RC∥RL=20∥60=15 kΩR_C\|R_L=20\|60=15\ \mathrm{k\Omega} (in banda CLC_L è un corto): Av=gm11+gm1RS⋅11+2/β0⋅(RC∥RL)=0,2857⋅0,989⋅15=+4,24.\boxed{A_v=\frac{g_{m1}}{1+g_{m1}R_S}\cdot\frac{1}{1+2/\beta_0}\cdot(R_C\|R_L)=0{,}2857\cdot0{,}989\cdot15=+4{,}24}. Il segno è positivo: un aumento di vinv_{in} aumenta idi_d, quindi la corrente dello specchio, quindi la tensione sul nodo di uscita. Il carico attivo (specchio) converte la corrente di M1M_1 in una corrente di uscita senza inversione.

5. Guadagno con la tensione di Early ∣VA∣=30 V|V_A|=30\ \mathrm V

Il punto di lavoro resta quello calcolato (convenzione di questi esercizi: polarizzazione con ro=∞r_o=\infty, poi ror_o solo nel piccolo segnale). Resistenza di uscita di Q2Q_2: ro2=VA+VEC2IC2=30+6,591,471 mA=24,9 kΩ,r_{o2}=\frac{V_A+V_{EC2}}{I_{C2}}=\frac{30+6{,}59}{1{,}471\ \mathrm{mA}}=24{,}9\ \mathrm{k\Omega}, in parallelo al carico: RC∥RL∥ro2=15∥24,9=9,36 kΩR_C\|R_L\|r_{o2}=15\|24{,}9=9{,}36\ \mathrm{k\Omega}. Il fattore dello specchio cambia di pochissimo (la ro1=30+0,71,471=20,9 kΩr_{o1}=\dfrac{30+0{,}7}{1{,}471}=20{,}9\ \mathrm{k\Omega} di Q1Q_1 è in parallelo a una resistenza di ingresso molto più piccola, 1/(gm+2/rπ)≃16,8 Ω1/(g_m+2/r_\pi)\simeq16{,}8\ \Omega: 0,989→0,9880{,}989\to0{,}988). Av=0,2857⋅0,989⋅9,36=+2,64.\boxed{A_v=0{,}2857\cdot0{,}989\cdot9{,}36=+2{,}64}. (Analisi nodale completa: 2,6442{,}644 con la sola ro2r_{o2} e 2,6422{,}642 includendo anche ro1r_{o1}.)

Osservazione. L'effetto Early altera anche lo specchio: IC2/IC1=1+VEC2/VA1+VEC1/VAI_{C2}/I_{C1}=\dfrac{1+V_{EC2}/V_A}{1+V_{EC1}/V_A} e, risolvendo in modo coerente, IC2I_{C2} salirebbe a circa 1,61 mA1{,}61\ \mathrm{mA} (+10%+10\%) con VEC2≃3,7 VV_{EC2}\simeq3{,}7\ \mathrm V. Il testo non richiede questa correzione.

Verifica numerica. Risolvendo la polarizzazione con le equazioni complete e il piccolo segnale con l'analisi nodale si ottiene ID=1,5 mAI_D=1{,}5\ \mathrm{mA}, VDS=30,80 VV_{DS}=30{,}80\ \mathrm V, IC=1,471 mAI_C=1{,}471\ \mathrm{mA}, VEC2=6,588 VV_{EC2}=6{,}588\ \mathrm V, Av=4,239A_v=4{,}239 e 2,6442{,}644.

Errori comuni

  • Usare IC1=IDI_{C1}=I_D (trascurando le due correnti di base dello specchio: errore del 2%2\%).
  • Scegliere la radice ID=2,667 mAI_D=2{,}667\ \mathrm{mA}, che dà VGS<VtV_{GS}<V_t.
  • Mettere RG1∥RG2R_{G1}\|R_{G2} o RgR_g nel calcolo di AvA_v: vinv_{in} è già la tensione di gate.
  • Bypassare RSR_S (non c'è CSC_S in figura): gm1g_{m1} va divisa per 1+gm1RS1+g_{m1}R_S.
  • Dimenticare che CLC_L è aperto in continua: la corrente di Q2Q_2 scende solo in RCR_C e non in RLR_L.
  • Calcolare ro2r_{o2} con VA/ICV_A/I_C senza VECV_{EC}: la formula del corso è (VA+VCE)/IC(V_A+V_{CE})/I_C.

Versione ripasso

Testo. VCC=36V_{CC}=36 V; n-MOS (IDSS=6I_{DSS}=6 mA, Vt=3V_t=3 V) con gate sul partitore 120120k/4040k e RS=3R_S=3k, drain sul diodo Q1Q_1 di uno specchio pnp (βF=100\beta_F=100, β0=180\beta_0=180, VBE=−0,7V_{BE}=-0{,}7 V); Q2Q_2 porta la corrente su RC=20R_C=20k, con CLC_L e RL=60R_L=60k. Polarizzazione e AvA_v; poi con ∣VA∣=30|V_A|=30 V.

  • M1M_1: VG=9V_G=9 V, VGS=9−3IDV_{GS}=9-3I_D, 6ID2−25ID+24=06I_D^2-25I_D+24=0 ⇒\Rightarrow ID=1,5I_D=1{,}5 mA (l'altra radice: VGS=1<VtV_{GS}=1<V_t), VGS=4,5V_{GS}=4{,}5 V, VS=4,5V_S=4{,}5 V.
  • Specchio: VD=36−0,7=35,3V_D=36-0{,}7=35{,}3 V, VDS=30,8V_{DS}=30{,}8 V; IC1=ID1+2/βF=1,471I_{C1}=\frac{I_D}{1+2/\beta_F}=1{,}471 mA =IC2=I_{C2}; VC2=RCIC2=29,41V_{C2}=R_CI_{C2}=29{,}41 V, VEC2=6,59V_{EC2}=6{,}59 V.
  • Piccolo segnale: gm1=2g_{m1}=2 mS, gm=58,8g_m=58{,}8 mS, rπ=3,06r_\pi=3{,}06k; id=gm11+gm1RSvin=0,2857i_d=\frac{g_{m1}}{1+g_{m1}R_S}v_{in}=0{,}2857 mS⋅vin\cdot v_{in}; ic2=id1+2/β0=0,989 idi_{c2}=\frac{i_d}{1+2/\beta_0}=0{,}989\,i_d.
  • Guadagno: Av=0,2857⋅0,989⋅(RC∥RL=15A_v=0{,}2857\cdot0{,}989\cdot(R_C\|R_L=15k)=+4,24)=+4{,}24. Con Early: ro2=VA+VEC2IC2=24,9r_{o2}=\frac{V_A+V_{EC2}}{I_{C2}}=24{,}9k, 15∥24,9=9,3615\|24{,}9=9{,}36k, Av=+2,64A_v=+2{,}64.
  • Errori: IC1=IDI_{C1}=I_D; radice sotto soglia; RgR_g, RG1R_{G1}, RG2R_{G2} in AvA_v; RSR_S bypassata; CLC_L aperto in continua; ro=VA/ICr_o=V_A/I_C.

Teoria collegata