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Note per Studenti Esercizio 24 · modello a parametri g di un amplificatore a due transistor e cascata di due amplificatori (tema d'esame luglio 2024)

Esercizio 24modello a parametri g di un amplificatore a due transistor e cascata di due amplificatori (tema d'esame luglio 2024)

Esame
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Testo (tema d'esame 10 luglio 2024, esercizio 1, 12 punti; identico il 10 luglio 2025). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei due dispositivi (IDI_D, VDSV_{DS}, ICI_C, VCEV_{CE}) e il modello a doppio bipolo come amplificatore di tensione vout=f(vin)v_{out}=f(v_{in}) (modello a parametri gg). Nella banda del segnale i condensatori sono cortocircuiti. Successivamente valutare il guadagno Av=vout2/vin1A_v=v_{out2}/v_{in1} che corrisponde alla connessione di due amplificatori in cascata.

Figura (descritta). Alimentazioni VSS=12 VV_{SS}=12\ \mathrm V e VEE=−32 VV_{EE}=-32\ \mathrm V. Il generatore arriva al gate di M1M_1 (p-MOS) tramite CGC_G; RGR_G porta il gate a massa in continua. Il source di M1M_1 va a VSSV_{SS} tramite RSR_S (nessun bypass). Il drain è collegato all'emettitore di Q1Q_1 (npn) e a RER_E verso VEEV_{EE}. La base di Q1Q_1 è collegata a massa tramite RBR_B e ha il condensatore CBC_B a massa (bypass); il collettore va a VSSV_{SS} tramite RCR_C e fornisce l'uscita.

Dati. VSS=12 VV_{SS}=12\ \mathrm V, VEE=−32 VV_{EE}=-32\ \mathrm V, RG=10 kΩR_G=10\ \mathrm{k\Omega}, RS=6 kΩR_S=6\ \mathrm{k\Omega}, RB=55 kΩR_B=55\ \mathrm{k\Omega}, RC=5 kΩR_C=5\ \mathrm{k\Omega}, RE=10 kΩR_E=10\ \mathrm{k\Omega}; IDSS=−4 mAI_{DSS}=-4\ \mathrm{mA}, Vt=−4 VV_t=-4\ \mathrm V, λ=0\lambda=0; βF=100\beta_F=100, β0=150\beta_0=150, VBE=0,7 VV_{BE}=0{,}7\ \mathrm V, ro=∞r_o=\infty, VT=25 mVV_T=25\ \mathrm{mV}.

Teoria usata: Amplificatori e modello a doppio bipoloUn amplificatore è una rete lineare con due porte (ingresso e uscita). A seconda che ingresso e uscita siano in tensione o in corrente ci sono quattro modelli (parametri g, z, y, h); il più usato è il modello g dell'amplificatore di tensione: v2 = g21 v1 + g22 i2, i1 = g11 v1 + g12 i2, con Av = g21, Rin = 1/g11, Rout = g22. Un amplificatore unidirezionale ha g12 = 0 e il suo guadagno complessivo è un prodotto di tre fattori: partitore di ingresso, guadagno intrinseco, partitore di uscita.Amplificatori e modello a doppio bipolo →, Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →, Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →.


1. Polarizzazione

M1M_1 (p-MOS). Gate a 0 V0\ \mathrm V; u=∣ID∣u=|I_D| (mA, kΩ): VS=12−6uV_S=12-6u, VGS=−12+6uV_{GS}=-12+6u: u=4(12−6u4−1)2=4(2−1,5u)2 ⇒ 9u2−25u+16=0 ⇒ u=25±718=1,78 o 1 mA.u=4\Big(\frac{12-6u}{4}-1\Big)^2=4(2-1{,}5u)^2\ \Rightarrow\ 9u^2-25u+16=0\ \Rightarrow\ u=\frac{25\pm7}{18}=1{,}78\ \text{o}\ 1\ \mathrm{mA}. Condizione di conduzione VGS<Vt=−4 V  ⟺  u<1,33 mAV_{GS}<V_t=-4\ \mathrm V\iff u<1{,}33\ \mathrm{mA}: vale u=1 mAu=1\ \mathrm{mA}. ∣ID∣=1 mA,VGS=−6 V,VS=12−6=6 V.|I_D|=1\ \mathrm{mA},\qquad V_{GS}=-6\ \mathrm V,\qquad V_S=12-6=6\ \mathrm V. Q1Q_1. Base: VB=−RBIBV_B=-R_BI_B (la corrente di base scende dalla massa attraverso RBR_B), VE=VB−0,7=−0,7−55IBV_E=V_B-0{,}7=-0{,}7-55I_B. Nel nodo drain-emettitore entrano ∣ID∣|I_D| e IE=(1+βF)IBI_E=(1+\beta_F)I_B e scendono in RER_E verso VEEV_{EE}: VE−VEERE=∣ID∣+IE ⇒ −0,7−55IB+3210=1+101IB ⇒ 2,13=106,5 IB ⇒ IB=20 μA.\frac{V_E-V_{EE}}{R_E}=|I_D|+I_E\ \Rightarrow\ \frac{-0{,}7-55I_B+32}{10}=1+101I_B\ \Rightarrow\ 2{,}13=106{,}5\,I_B\ \Rightarrow\ I_B=20\ \mu\mathrm A. IC=2,0 mA,IE=2,02 mA,VB=−1,1 V,VE=−1,8 V,VC=12−5⋅2=2 V,VCE=3,8 V.I_C=2{,}0\ \mathrm{mA},\quad I_E=2{,}02\ \mathrm{mA},\quad V_B=-1{,}1\ \mathrm V,\quad V_E=-1{,}8\ \mathrm V,\quad V_C=12-5\cdot2=2\ \mathrm V,\quad V_{CE}=3{,}8\ \mathrm V. Verifiche. Q1Q_1 attivo (VCE=3,8 VV_{CE}=3{,}8\ \mathrm V); M1M_1: VDS=VE−VS=−1,8−6=−7,8 V<VGS−Vt=−2 VV_{DS}=V_E-V_S=-1{,}8-6=-7{,}8\ \mathrm V<V_{GS}-V_t=-2\ \mathrm V: saturazione. ✓

2. Parametri di piccolo segnale

gm1=2⋅1 mA∣−6+4∣ V=1 mS,gm2=2 mA25 mV=80 mS,rπ=15080 mS=1,875 kΩ.g_{m1}=\frac{2\cdot1\ \mathrm{mA}}{|-6+4|\ \mathrm V}=1\ \mathrm{mS},\qquad g_{m2}=\frac{2\ \mathrm{mA}}{25\ \mathrm{mV}}=80\ \mathrm{mS},\qquad r_\pi=\frac{150}{80\ \mathrm{mS}}=1{,}875\ \mathrm{k\Omega}.

3. Doppio bipolo (parametri gg)

L'amplificatore ha ingresso in tensione (porta sul gate dopo CGC_G) e uscita in tensione (collettore): modello a parametri gg (Amplificatori e modello a doppio bipoloUn amplificatore è una rete lineare con due porte (ingresso e uscita). A seconda che ingresso e uscita siano in tensione o in corrente ci sono quattro modelli (parametri g, z, y, h); il più usato è il modello g dell'amplificatore di tensione: v2 = g21 v1 + g22 i2, i1 = g11 v1 + g12 i2, con Av = g21, Rin = 1/g11, Rout = g22. Un amplificatore unidirezionale ha g12 = 0 e il suo guadagno complessivo è un prodotto di tre fattori: partitore di ingresso, guadagno intrinseco, partitore di uscita.Amplificatori e modello a doppio bipolo →). Si calcolano i quattro parametri con vinv_{in} al gate e l'uscita aperta o in corto.

g11g_{11} e g12g_{12}. Il gate non assorbe corrente: l'ingresso è formato solo da RGR_G e nulla dell'uscita lo raggiunge: g11=1RG=0,1 mS (Rin=10 kΩ),g12=0 (amplificatore unidirezionale).g_{11}=\frac1{R_G}=0{,}1\ \mathrm{mS}\ (R_{in}=10\ \mathrm{k\Omega}),\qquad g_{12}=0\ (\text{amplificatore unidirezionale}). g22g_{22}. Con vin=0v_{in}=0 e ro=∞r_o=\infty il collettore è un generatore di corrente ideale in parallelo a RCR_C: g22=RC=5 kΩg_{22}=R_C=5\ \mathrm{k\Omega}.

g21g_{21} (guadagno a uscita aperta). Il source di M1M_1 ha RSR_S non bypassata: la corrente di drain di piccolo segnale è id=gm11+gm1RS vin=1 mS1+6vin=0,1429 mS⋅vini_d=\frac{g_{m1}}{1+g_{m1}R_S}\,v_{in}=\frac{1\ \mathrm{mS}}{1+6}v_{in}=0{,}1429\ \mathrm{mS}\cdot v_{in} (il segnale vgs=vin−RSidv_{gs}=v_{in}-R_Si_d si riduce per effetto di RSR_S). Questa corrente, che il p-MOS toglie al nodo drain-emettitore, scorre nell'impedenza vista da quel nodo: RER_E in parallelo alla resistenza di ingresso dell'emettitore di Q1Q_1 (Q1Q_1 a base comune, base a massa tramite CBC_B): Rie=1gm2+1/rπ=12,4 ΩR_{ie}=\dfrac{1}{g_{m2}+1/r_\pi}=12{,}4\ \Omega, RN=RE∥Rie=12,40 ΩR_N=R_E\|R_{ie}=12{,}40\ \Omega. Quindi ve=−idRN=−0,1429 mS⋅12,40 Ω⋅vin=−1,772⋅10−3 vinv_e=-i_dR_N=-0{,}1429\ \mathrm{mS}\cdot12{,}40\ \Omega\cdot v_{in}=-1{,}772\cdot10^{-3}\,v_{in}. Il BJT a base comune ha guadagno gm2RC=0,08⋅5000=400g_{m2}R_C=0{,}08\cdot5000=400 a uscita aperta: g21=voutvin∣iout=0=−gm11+gm1RS RN⋅gm2RC=−1,772⋅10−3⋅400=−0,709.g_{21}=\frac{v_{out}}{v_{in}}\Big|_{i_{out}=0}=-\frac{g_{m1}}{1+g_{m1}R_S}\,R_N\cdot g_{m2}R_C=-1{,}772\cdot10^{-3}\cdot400=-0{,}709. (analisi nodale: g21=−0,7087g_{21}=-0{,}7087 ✓.) Quindi

g11=0,1 mS,g12=0,g21=−0,709,g22=5 kΩ\boxed{g_{11}=0{,}1\ \mathrm{mS},\quad g_{12}=0,\quad g_{21}=-0{,}709,\quad g_{22}=5\ \mathrm{k\Omega}} Il guadagno intrinseco è minore di 1 in modulo: ogni stadio attenua perché RSR_S non è in bypass e il primo stadio (M1M_1) ha un carico bassissimo, la resistenza vista nell'emettitore del BJT a base comune (≃12 Ω\simeq12\ \Omega).

4. Cascata di due amplificatori

L'uscita del primo (collettore) è collegata, tramite CGC_G (cortocircuito in banda), all'ingresso del secondo (gate di M1M_1 del secondo stadio, con RGR_G a massa). Per due amplificatori unidirezionali (Amplificatori e modello a doppio bipoloUn amplificatore è una rete lineare con due porte (ingresso e uscita). A seconda che ingresso e uscita siano in tensione o in corrente ci sono quattro modelli (parametri g, z, y, h); il più usato è il modello g dell'amplificatore di tensione: v2 = g21 v1 + g22 i2, i1 = g11 v1 + g12 i2, con Av = g21, Rin = 1/g11, Rout = g22. Un amplificatore unidirezionale ha g12 = 0 e il suo guadagno complessivo è un prodotto di tre fattori: partitore di ingresso, guadagno intrinseco, partitore di uscita.Amplificatori e modello a doppio bipolo →): la tensione all'ingresso del secondo è il partitore tra Rout1=g22=RCR_{out1}=g_{22}=R_C e Rin2=1/g11=RGR_{in2}=1/g_{11}=R_G: Av=vout2vin1=g21⋅RGRC+RG⋅g21=(−0,709)2⋅105+10=0,5024⋅0,6667=+0,335.A_v=\frac{v_{out2}}{v_{in1}}=g_{21}\cdot\frac{R_G}{R_C+R_G}\cdot g_{21}=(-0{,}709)^2\cdot\frac{10}{5+10}=0{,}5024\cdot0{,}6667=+0{,}335. (analisi nodale della cascata: 0,33480{,}3348 ✓.) Il guadagno complessivo è addirittura minore di 1: l'amplificatore non amplifica (il testo chiede solo di determinarlo): per amplificare servirebbe bypassare RSR_S (g21g_{21} salirebbe di 1+gm1RS=71+g_{m1}R_S=7 volte, a −4,96-4{,}96).

Errori comuni

  • Dimenticare 1+gm1RS1+g_{m1}R_S (source non bypassato) e usare gm1g_{m1} da sola.
  • Non considerare che il carico del drain è la resistenza vista nell'emettitore del BJT (≃1/gm2\simeq1/g_{m2}) e non RER_E da sola.
  • Nella cascata moltiplicare i due g21g_{21} senza il partitore tra RCR_C (uscita del primo) e RGR_G (ingresso del secondo).
  • Dimenticare che per i BJT in base comune il guadagno è non invertente e che i segni dei due stadi si compongono: qui ciascuno stadio è invertente (g21<0g_{21}<0), la cascata è positiva.

Versione ripasso

Testo. VSS=12V_{SS}=12 V, VEE=−32V_{EE}=-32 V; p-MOS (IDSS=−4I_{DSS}=-4 mA, Vt=−4V_t=-4 V, gate a 00 V con RG=10R_G=10k, RS=6R_S=6k senza bypass) con drain sull'emettitore di un npn a base comune (βF=100\beta_F=100, β0=150\beta_0=150, VBE=0,7V_{BE}=0{,}7 V, RB=55R_B=55k, RE=10R_E=10k, RC=5R_C=5k): polarizzazione, parametri gg e guadagno della cascata di due amplificatori uguali.

Teoria collegata