Esercizio 16n-MOSFET e BJT pnp ad accoppiamento diretto, polarizzazione e guadagno (tema d'esame giugno 2022)
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Testo (tema d'esame 23 giugno 2022, esercizio 1, 12 punti; lo stesso circuito e gli stessi dati ricompaiono il 27 maggio 2024 e il 13 luglio 2026, quest'ultimo con tensione di Early; il 22 giugno 2021 con altri valori). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei due dispositivi e il valore del guadagno , valutato in banda (condensatori di accoppiamento e di bypass in cortocircuito).
Figura (descritta). Alimentazione in alto. (n-MOS) ha il gate su un partitore (verso ) e (verso massa); il generatore con la resistenza arriva al gate tramite il condensatore . Il source va a massa tramite (non in bypass). Il drain di è collegato a tramite e direttamente alla base di (pnp). L'emettitore di va a tramite con il condensatore di bypass in parallelo; il collettore va a massa tramite e fornisce l'uscita tramite sul carico .
Dati. , , , , , , , , ; , , ; , , , , .
Teoria usata: Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →, Amplificatori multistadio e accoppiamento direttoUn amplificatore multistadio è una cascata di stadi elementari; con stadi unidirezionali ciascuno si sostituisce al successivo con la sua resistenza di ingresso e il guadagno totale è il prodotto: A_v = [R_in1/(R_in1+R_g)]·A_v1(carico R_in2)·A_v2(carico R_L). Si può accoppiare con condensatori (le polarizzazioni sono indipendenti) o direttamente (nessun condensatore: la polarizzazione dei due transistor va risolta insieme, si ottiene guadagno anche in continua ma sono più delicate stabilità e deriva). Con uno stadio a MOSFET seguito da uno a BJT il carico del MOSFET è R_D ∥ R_in2 e la resistenza di uscita finale è quella dell'ultimo stadio.Amplificatori multistadio e accoppiamento diretto →, Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comuneGli stadi a MOSFET si ricavano da quelli a BJT con r_π → ∞ (nessuna corrente di gate): sono tutti unidirezionali (g12 = 0). Source comune: g21 = −g_m R_D/(1 + g_m R_S1), g11 = 1/R_G, g22 = R_D. Drain comune (inseguitore di source): A_v = g_m R_S'/(1 + g_m R_S'), R_out = R_S ∥ 1/g_m. Gate comune: g21 = g_m R_D, R_in = R_S ∥ 1/g_m. Il guadagno complessivo con sorgente e carico è A_v = [R_G/(R_g+R_G)]·g21·[R_L/(R_out+R_L)]. Con λ ≠ 0 compare r_o in parallelo a R_D; con resistenza di source non bypassata la resistenza di uscita del transistor sale a r_o(1+g_m R_S1)+R_S1.Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comune →, Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →.
1. Polarizzazione di
Il gate non assorbe corrente: il partitore di gate non è caricato e Con e (saturazione, la corrente di non dipende da quello che c'è dopo il drain): (; coefficiente di : ; termine noto: , in kΩ, mA, V.) Si sceglie (l'altra radice è sotto la soglia). Allora
2. Polarizzazione di (pnp) con accoppiamento diretto
Sul nodo di drain/base arrivano la corrente di (dall'alimentazione) e la corrente che esce dalla base del pnp, (in modulo ); tutta la somma scende nel drain di : , quindi .
- Tensione di base: .
- Emettitore: entra nell'emettitore; .
- Giunzione base-emettitore: , cioè .
Sostituendo: , da cui Il collettore è a (la corrente esce dal collettore e passa in verso massa).
Verifiche. : (in modulo) e : zona attiva diretta. : , : saturazione. ✓
Punto di lavoro: : , ; : , .
3. Parametri di piccolo segnale
( e : nessuna resistenza di uscita da considerare.)
4. Guadagno in banda
In banda , , sono corti. cortocircuita : l'emettitore di è collegato a , che è massa per il segnale. Quindi è un emettitore comune con bypass totale (la sua è ), e è un source comune con non bypassata. La base di è sul drain di : è un carico del drain, in parallelo a .
- Ingresso: il gate vede a massa. Partitore con : .
- Stadio 1 (gate drain): carico ; con non bypassata
- Stadio 2 (base collettore): .
Positivo perché i due stadi sono invertenti. Verifica numerica: analisi nodale completa del circuito di piccolo segnale: ✓.
5. Variante con tensione di Early (13 luglio 2026)
Con il pnp ha tra collettore ed emettitore (cioè verso massa per il segnale) e in parallelo a : e (analisi nodale: ✓). La resistenza di uscita vale (verificata).
Errori comuni
- Calcolare includendo il collegamento al BJT (la corrente di drain dipende solo dal loop gate-source).
- Dimenticare che del pnp esce dalla base verso il nodo di accoppiamento e va sottratta alla corrente di .
- Calcolare il guadagno di con da sola, senza in parallelo (si otterrebbe invece di ).
- Dimenticare (source non bypassato) o trattare come se fosse presente nel segnale (è in bypass).
Versione ripasso
Testo. n-MOS ( mA, V, gate su k/k, k non bypassata, k) con il drain collegato alla base di un pnp (, , V, k in bypass, k, k), V, : polarizzazione e in banda.
- : V; , V (), mA, V (Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →).
- : nodo base-drain: A, mA, V, V, V, V (Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →). Verifiche: attivo, V.
- Piccolo segnale: mS, mS, k.
- Guadagno: in banda cortocircuitata; k; ; ; ingresso : (Amplificatori multistadio e accoppiamento direttoUn amplificatore multistadio è una cascata di stadi elementari; con stadi unidirezionali ciascuno si sostituisce al successivo con la sua resistenza di ingresso e il guadagno totale è il prodotto: A_v = [R_in1/(R_in1+R_g)]·A_v1(carico R_in2)·A_v2(carico R_L). Si può accoppiare con condensatori (le polarizzazioni sono indipendenti) o direttamente (nessun condensatore: la polarizzazione dei due transistor va risolta insieme, si ottiene guadagno anche in continua ma sono più delicate stabilità e deriva). Con uno stadio a MOSFET seguito da uno a BJT il carico del MOSFET è R_D ∥ R_in2 e la resistenza di uscita finale è quella dell'ultimo stadio.Amplificatori multistadio e accoppiamento diretto →).
- Con Early ( V): k, , k.
- Errori: dipende solo dal loop gate-source; del pnp sottratta; in parallelo a ; .