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Note per Studenti Esercizio 16 · n-MOSFET e BJT pnp ad accoppiamento diretto, polarizzazione e guadagno (tema d'esame giugno 2022)

Esercizio 16n-MOSFET e BJT pnp ad accoppiamento diretto, polarizzazione e guadagno (tema d'esame giugno 2022)

Esame
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Testo (tema d'esame 23 giugno 2022, esercizio 1, 12 punti; lo stesso circuito e gli stessi dati ricompaiono il 27 maggio 2024 e il 13 luglio 2026, quest'ultimo con tensione di Early; il 22 giugno 2021 con altri valori). Dato il circuito di figura calcolare la polarizzazione dei due dispositivi e il valore del guadagno Av=vout/vinA_v=v_{out}/v_{in}, valutato in banda (condensatori di accoppiamento e di bypass in cortocircuito).

Figura (descritta). Alimentazione VCC=30 VV_{CC}=30\ \mathrm V in alto. M1M_1 (n-MOS) ha il gate su un partitore RG1R_{G1} (verso VCCV_{CC}) e RG2R_{G2} (verso massa); il generatore vgv_g con la resistenza RgR_g arriva al gate tramite il condensatore CSC_S. Il source va a massa tramite RSR_S (non in bypass). Il drain di M1M_1 è collegato a VCCV_{CC} tramite RDR_D e direttamente alla base di Q1Q_1 (pnp). L'emettitore di Q1Q_1 va a VCCV_{CC} tramite RER_E con il condensatore di bypass CEC_E in parallelo; il collettore va a massa tramite RCR_C e fornisce l'uscita tramite CLC_L sul carico RLR_L.

Dati. VCC=30 VV_{CC}=30\ \mathrm V, RG1=200 kΩR_{G1}=200\ \mathrm{k\Omega}, RG2=50 kΩR_{G2}=50\ \mathrm{k\Omega}, RS=1,25 kΩR_S=1{,}25\ \mathrm{k\Omega}, RD=5 kΩR_D=5\ \mathrm{k\Omega}, RE=2 kΩR_E=2\ \mathrm{k\Omega}, RC=2 kΩR_C=2\ \mathrm{k\Omega}, RL=6 kΩR_L=6\ \mathrm{k\Omega}, Rg=100 ΩR_g=100\ \Omega; IDSS=12,5 mAI_{DSS}=12{,}5\ \mathrm{mA}, Vt=2,5 VV_t=2{,}5\ \mathrm V, λ=0\lambda=0; βF=100\beta_F=100, β0=180\beta_0=180, VBE=−0,685 VV_{BE}=-0{,}685\ \mathrm V, ro=∞r_o=\infty, VT=25 mVV_T=25\ \mathrm{mV}.

Teoria usata: Polarizzazione dei MOSFETIl gate non assorbe corrente, quindi V_G = V_DD R_G2/(R_G1+R_G2) e V_G = V_GS + R_S I_D. Con I_D = I_DSS(V_GS/V_t − 1)² si ottiene un'equazione di secondo grado in V_GS: si sceglie la radice in zona di conduzione (V_GS > V_t per n-MOS, V_GS < V_t per p-MOS), si calcola I_D e V_DS = V_DD − (R_D+R_S)I_D e si verifica la saturazione (n-MOS: V_DS > V_GS − V_t). Con R_S = 0 la polarizzazione è immediata (V_GS = V_G). Se la saturazione è falsa si risolve in zona ohmica con I_D = k[2(V_GS−V_t)V_DS − V_DS²]. Il procedimento vale per enhancement, depletion e JFET.Polarizzazione dei MOSFET →, Polarizzazione del BJTPolarizzare un BJT significa fissare il punto di lavoro (I_C, V_CE). Con il circuito a quattro resistenze si sostituisce il partitore di base con il suo equivalente di Thévenin (V_B, R_B): I_B = (V_B − V_BE)/(R_B + (1+β_F)R_E), I_C = β_F I_B, V_CE = V_CC − R_C I_C − R_E(I_C + I_B). Poi si verifica l'ipotesi di zona attiva (I_B ≥ 0 e V_CE ≥ V_CE,sat); se è falsa si riscrive il sistema in saturazione con V_CE = V_CE,sat. La stabilità rispetto a β_F e a V_BE è migliore se R_B ≪ β_F R_E. Con accoppiamento diretto tra stadi la corrente di base del secondo transistor entra nell'equazione del nodo di collegamento.Polarizzazione del BJT →, Amplificatori multistadio e accoppiamento direttoUn amplificatore multistadio è una cascata di stadi elementari; con stadi unidirezionali ciascuno si sostituisce al successivo con la sua resistenza di ingresso e il guadagno totale è il prodotto: A_v = [R_in1/(R_in1+R_g)]·A_v1(carico R_in2)·A_v2(carico R_L). Si può accoppiare con condensatori (le polarizzazioni sono indipendenti) o direttamente (nessun condensatore: la polarizzazione dei due transistor va risolta insieme, si ottiene guadagno anche in continua ma sono più delicate stabilità e deriva). Con uno stadio a MOSFET seguito da uno a BJT il carico del MOSFET è R_D ∥ R_in2 e la resistenza di uscita finale è quella dell'ultimo stadio.Amplificatori multistadio e accoppiamento diretto →, Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comuneGli stadi a MOSFET si ricavano da quelli a BJT con r_π → ∞ (nessuna corrente di gate): sono tutti unidirezionali (g12 = 0). Source comune: g21 = −g_m R_D/(1 + g_m R_S1), g11 = 1/R_G, g22 = R_D. Drain comune (inseguitore di source): A_v = g_m R_S'/(1 + g_m R_S'), R_out = R_S ∥ 1/g_m. Gate comune: g21 = g_m R_D, R_in = R_S ∥ 1/g_m. Il guadagno complessivo con sorgente e carico è A_v = [R_G/(R_g+R_G)]·g21·[R_L/(R_out+R_L)]. Con λ ≠ 0 compare r_o in parallelo a R_D; con resistenza di source non bypassata la resistenza di uscita del transistor sale a r_o(1+g_m R_S1)+R_S1.Amplificatori a MOSFET - source comune, drain comune e gate comune →, Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comuneGli stadi elementari a BJT si distinguono dal terminale comune a ingresso e uscita. Emettitore comune: guadagno di tensione alto e invertente, A_v = −β0 R_C/(r_π + R_E1(1+β0)) (−g_m R_C con l'emettitore in bypass), R_out = R_C. Collettore comune (inseguitore di emettitore): A_v ≈ 1, R_in alta, R_out bassa (≈ 1/g_m). Base comune: A_v = g_m(R_C∥R_L) non invertente, R_in ≈ 1/g_m bassa, R_out = R_C. Per ogni stadio si disegna il circuito di piccolo segnale, si trova il doppio bipolo (g11, g21, g22) e il guadagno complessivo si ottiene con i due partitori di ingresso e di uscita.Amplificatori a BJT - emettitore comune, collettore comune e base comune →.


1. Polarizzazione di M1M_1

Il gate non assorbe corrente: il partitore di gate non è caricato e VG=VCCRG2RG1+RG2=30⋅50250=6 V.V_G=V_{CC}\frac{R_{G2}}{R_{G1}+R_{G2}}=30\cdot\frac{50}{250}=6\ \mathrm V. Con VG=VGS+RSIDV_G=V_{GS}+R_SI_D e ID=IDSS(VGS/Vt−1)2I_D=I_{DSS}(V_{GS}/V_t-1)^2 (saturazione, la corrente di M1M_1 non dipende da quello che c'è dopo il drain): 6=VGS+1,25⋅12,5(VGS2,5−1)2 ⇒ 2,5 VGS2−11,5 VGS+9,625=0 ⇒ VGS=11,5±65=3,5 o 1,1 V.6=V_{GS}+1{,}25\cdot12{,}5\Big(\frac{V_{GS}}{2{,}5}-1\Big)^2\ \Rightarrow\ 2{,}5\,V_{GS}^2-11{,}5\,V_{GS}+9{,}625=0\ \Rightarrow\ V_{GS}=\frac{11{,}5\pm6}{5}=3{,}5\ \text{o}\ 1{,}1\ \mathrm V. (RSIDSS/Vt2=1,25⋅12,5/6,25=2,5R_SI_{DSS}/V_t^2=1{,}25\cdot12{,}5/6{,}25=2{,}5; coefficiente di VGSV_{GS}: 1−2RSIDSS/Vt=1−12,5=−11,51-2R_SI_{DSS}/V_t=1-12{,}5=-11{,}5; termine noto: RSIDSS−VG=15,625−6=9,625R_SI_{DSS}-V_G=15{,}625-6=9{,}625, in kΩ, mA, V.) Si sceglie VGS=3,5 V>VtV_{GS}=3{,}5\ \mathrm V>V_t (l'altra radice è sotto la soglia). Allora ID=12,5(3,52,5−1)2=12,5⋅0,16=2 mA,VS=RSID=2,5 V.I_D=12{,}5\Big(\frac{3{,}5}{2{,}5}-1\Big)^2=12{,}5\cdot0{,}16=2\ \mathrm{mA},\qquad V_S=R_SI_D=2{,}5\ \mathrm V.

2. Polarizzazione di Q1Q_1 (pnp) con accoppiamento diretto

Sul nodo di drain/base arrivano la corrente di RDR_D (dall'alimentazione) e la corrente che esce dalla base del pnp, IBI_{B} (in modulo IB=∣IB∣I_B=|I_B|); tutta la somma scende nel drain di M1M_1: IRD+IB=IDI_{RD}+I_B=I_D, quindi IRD=ID−IBI_{RD}=I_D-I_B.

  • Tensione di base: VB=VCC−RDIRD=VCC−RD(ID−IB)V_B=V_{CC}-R_DI_{RD}=V_{CC}-R_D(I_D-I_B).
  • Emettitore: IE=(1+βF)IBI_E=(1+\beta_F)I_B entra nell'emettitore; VE=VCC−REIE=VCC−RE(1+βF)IBV_E=V_{CC}-R_EI_E=V_{CC}-R_E(1+\beta_F)I_B.
  • Giunzione base-emettitore: VBE=VB−VE=−0,685 VV_{BE}=V_B-V_E=-0{,}685\ \mathrm V, cioè VE=VB+0,685V_E=V_B+0{,}685.

Sostituendo: VCC−RE(1+βF)IB=VCC−RDID+RDIB+0,685V_{CC}-R_E(1+\beta_F)I_B=V_{CC}-R_DI_D+R_DI_B+0{,}685, da cui IB=RDID−0,685RD+(1+βF)RE=5⋅2−0,6855+101⋅2 mA=9,315207 mA=45,0 μA.I_B=\frac{R_DI_D-0{,}685}{R_D+(1+\beta_F)R_E}=\frac{5\cdot2-0{,}685}{5+101\cdot2}\ \mathrm{mA}=\frac{9{,}315}{207}\ \mathrm{mA}=45{,}0\ \mu\mathrm A. IC=βFIB=4,50 mA,IE=4,545 mA,VB=30−5 (2−0,045)=20,225 V,VE=30−2⋅4,545=20,91 V.I_C=\beta_FI_B=4{,}50\ \mathrm{mA},\quad I_E=4{,}545\ \mathrm{mA},\quad V_B=30-5\,(2-0{,}045)=20{,}225\ \mathrm V,\quad V_E=30-2\cdot4{,}545=20{,}91\ \mathrm V. Il collettore è a VC=RCIC=2⋅4,5=9,0 VV_C=R_CI_C=2\cdot4{,}5=9{,}0\ \mathrm V (la corrente esce dal collettore e passa in RCR_C verso massa).

Verifiche. Q1Q_1: IB>0I_B>0 (in modulo) e VEC=VE−VC=20,91−9,0=11,9 V≫VCE,satV_{EC}=V_E-V_C=20{,}91-9{,}0=11{,}9\ \mathrm V\gg V_{CE,sat}: zona attiva diretta. M1M_1: VD=VB=20,225 VV_D=V_B=20{,}225\ \mathrm V, VDS=20,225−2,5=17,7 V>VGS−Vt=1 VV_{DS}=20{,}225-2{,}5=17{,}7\ \mathrm V>V_{GS}-V_t=1\ \mathrm V: saturazione. ✓

Punto di lavoro: M1M_1: ID=2 mAI_D=2\ \mathrm{mA}, VDS=17,7 VV_{DS}=17{,}7\ \mathrm V; Q1Q_1: IC=4,5 mAI_C=4{,}5\ \mathrm{mA}, VEC=11,9 VV_{EC}=11{,}9\ \mathrm V.

3. Parametri di piccolo segnale

gm1=2IDVGS−Vt=2⋅2 mA1 V=4 mS,gm2=ICVT=4,5 mA25 mV=180 mS,rπ=β0gm2=1 kΩ.g_{m1}=\frac{2I_D}{V_{GS}-V_t}=\frac{2\cdot2\ \mathrm{mA}}{1\ \mathrm V}=4\ \mathrm{mS},\qquad g_{m2}=\frac{I_C}{V_T}=\frac{4{,}5\ \mathrm{mA}}{25\ \mathrm{mV}}=180\ \mathrm{mS},\qquad r_\pi=\frac{\beta_0}{g_{m2}}=1\ \mathrm{k\Omega}. (λ=0\lambda=0 e ro=∞r_o=\infty: nessuna resistenza di uscita da considerare.)

4. Guadagno in banda

In banda CSC_S, CLC_L, CEC_E sono corti. CEC_E cortocircuita RER_E: l'emettitore di Q1Q_1 è collegato a VCCV_{CC}, che è massa per il segnale. Quindi Q1Q_1 è un emettitore comune con bypass totale (la sua RinR_{in} è rπr_\pi), e M1M_1 è un source comune con RSR_S non bypassata. La base di Q1Q_1 è sul drain di M1M_1: rπr_\pi è un carico del drain, in parallelo a RDR_D.

  • Ingresso: il gate vede RG1∥RG2=40 kΩR_{G1}\|R_{G2}=40\ \mathrm{k\Omega} a massa. Partitore con RgR_g: 4040+0,1=0,9975\dfrac{40}{40+0{,}1}=0{,}9975.
  • Stadio 1 (gate →\to drain): carico RD∥rπ=5∥1=0,8333 kΩR_D\|r_\pi=5\|1=0{,}8333\ \mathrm{k\Omega}; con RSR_S non bypassata Av1=−gm1(RD∥rπ)1+gm1RS=−4⋅0,83331+4⋅1,25=−3,3336=−0,556.A_{v1}=-\frac{g_{m1}(R_D\|r_\pi)}{1+g_{m1}R_S}=-\frac{4\cdot0{,}8333}{1+4\cdot1{,}25}=-\frac{3{,}333}{6}=-0{,}556.
  • Stadio 2 (base →\to collettore): Av2=−gm2(RC∥RL)=−180 mS⋅2⋅62+6 kΩ=−180 mS⋅1,5 kΩ=−270A_{v2}=-g_{m2}(R_C\|R_L)=-180\ \mathrm{mS}\cdot\dfrac{2\cdot6}{2+6}\ \mathrm{k\Omega}=-180\ \mathrm{mS}\cdot1{,}5\ \mathrm{k\Omega}=-270.

Av=0,9975⋅(−0,556)⋅(−270)≃+150\boxed{A_v=0{,}9975\cdot(-0{,}556)\cdot(-270)\simeq+150} Positivo perché i due stadi sono invertenti. Verifica numerica: analisi nodale completa del circuito di piccolo segnale: Av=149,6A_v=149{,}6 ✓.

5. Variante con tensione di Early (13 luglio 2026)

Con ∣VA∣=60 V|V_A|=60\ \mathrm V il pnp ha ro=∣VA∣+VECIC=60+11,94,5 mA=16,0 kΩr_o=\dfrac{|V_A|+V_{EC}}{I_C}=\dfrac{60+11{,}9}{4{,}5\ \mathrm{mA}}=16{,}0\ \mathrm{k\Omega} tra collettore ed emettitore (cioè verso massa per il segnale) e in parallelo a RC∥RLR_C\|R_L: Av2=−0,18⋅(1,5∥16,0) kΩ=−0,18⋅1,371=−246,8A_{v2}=-0{,}18\cdot(1{,}5\|16{,}0)\ \mathrm{k\Omega}=-0{,}18\cdot1{,}371=-246{,}8 e Av=0,9975⋅(−0,556)⋅(−246,8)=136,8A_v=0{,}9975\cdot(-0{,}556)\cdot(-246{,}8)=136{,}8 (analisi nodale: 136,8136{,}8 ✓). La resistenza di uscita vale Rout=RC∥ro=1,78 kΩR_{out}=R_C\|r_o=1{,}78\ \mathrm{k\Omega} (verificata).

Errori comuni

  • Calcolare IDI_D includendo il collegamento al BJT (la corrente di drain dipende solo dal loop gate-source).
  • Dimenticare che IBI_B del pnp esce dalla base verso il nodo di accoppiamento e va sottratta alla corrente di RDR_D.
  • Calcolare il guadagno di M1M_1 con RDR_D da sola, senza rπr_\pi in parallelo (si otterrebbe −gm1RD/(1+gm1RS)=−3,33-g_{m1}R_D/(1+g_{m1}R_S)=-3{,}33 invece di −0,556-0{,}556).
  • Dimenticare 1+gm1RS1+g_{m1}R_S (source non bypassato) o trattare RER_E come se fosse presente nel segnale (è in bypass).

Versione ripasso

Testo. n-MOS (IDSS=12,5I_{DSS}=12{,}5 mA, Vt=2,5V_t=2{,}5 V, gate su 200200k/5050k, RS=1,25R_S=1{,}25k non bypassata, RD=5R_D=5k) con il drain collegato alla base di un pnp (βF=100\beta_F=100, β0=180\beta_0=180, VBE=−0,685V_{BE}=-0{,}685 V, RE=2R_E=2k in bypass, RC=2R_C=2k, RL=6R_L=6k), VCC=30V_{CC}=30 V, Rg=100 ΩR_g=100\ \Omega: polarizzazione e AvA_v in banda.

Teoria collegata