Testo (Eserciziario, es. 2.13). Rete in regime stazionario con R1=8Ω, R2=10Ω, un GIT E=12V e un GCPC con β=4. Determinare la resistenza interna alla porta AB.
Figura (descritta). Filo in basso = B; sul filo in basso, tra la parte sinistra e la parte destra, scorre la corrente di controllo Ix, con verso da destra a sinistra. Nodi in alto: P (a sinistra) e A (a destra).
Il filo in basso è un unico nodo B, ma Ix è la corrente nel tratto di filo tra il gruppo di sinistra (GCPC e R1) e il gruppo di destra (R2 e il morsetto B). È la corrente di controllo di un GCPC: la sua "porta 1" è un cortocircuito inserito in quel tratto di filo, come un amperometro.
2. Generatore di prova
E spento: cortocircuito, quindi P coincide con A. GIT di prova V∗ su AB. Ora a sinistra il GCPC e R1 sono tra A e B, a destra c'è R2 tra A e B.
LKC sul gruppo di sinistra (parte bassa). Nel tratto in basso a sinistra arrivano dall'alto la corrente di R1, V∗/R1, e quella del GCPC, βIx (entrambe scendono). Tutto ciò deve proseguire nel filo verso destra, che porta −Ix (perché Ix è orientata verso sinistra):
R1V∗+βIx=−Ix⟹Ix=−(1+β)R1V∗
LKC nel morsetto B. La corrente di prova I∗ entra in A ed esce da B. In B arrivano quella di R2 e quella del filo da sinistra (−Ix):
Il gruppo di sinistra si comporta come un resistore da (1+β)R1=5⋅8=40Ω. Il motivo: la corrente che "esce" dal gruppo nel filo è −Ix, ma il GCPC ne fa circolare altre β volte tanto in verso opposto, così solo una frazione 1+β1 della corrente di R1 arriva alla porta. Visto da fuori, R1 sembra 5 volte più grande. Poi 40∥10=8Ω.
È lo stesso meccanismo per cui, nei transistor, una resistenza sull'emettitore "vista dalla base" appare moltiplicata per il guadagno di corrente.